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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IXFR64N60P

IXFR64N60P 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 14:16:54 查看 閱讀�358

    晶體管極�:N

    電壓, Vds 最�:600V

    開態(tài)電阻, Rds(on):0.105ohm

   

目錄

概述

    晶體管極�:N

    電壓, Vds 最�:600V

    開態(tài)電阻, Rds(on):0.105ohm

    封裝類型:ISOPLUS-247

    N溝道柵極電荷 Qg:200nC

    功率, Pd:360W

    封裝類型:ISOPLUS-247

    晶體管類�:MOSFET

    電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V

    電壓, Vds 典型�:600V

    電容�, Ciss 典型�:12000pF

    電流, Id 連續(xù):36A

    表面安裝器件:通孔安裝

    閾值電�, Vgs th 典型�:5V

    隔離電壓:2500V

    時間, trr 最�:200ns

    熱阻 Rth:0.35


資料

廠商
IXYS

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ixfr64n60p參數

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列PolarHV™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C36A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫歐 @ 32A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 25V
  • 功率 - 最�360W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應商設備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件