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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXFN64N60P

IXFN64N60P 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 15:13:33 查看 閱讀�320

    晶體管極�:N

    漏極電流, Id 最大�:50A

    電壓, Vds 最�:600V

  

目錄

概述

    晶體管極�:N

    漏極電流, Id 最大�:50A

    電壓, Vds 最�:600V

    開態(tài)電阻, Rds(on):0.096ohm

    電壓 @ Rds測量:10V

    電壓, Vgs 最�:30V

    功�:700W

    工作溫度范圍:-55°C to +150°C

    封裝類型:ISOTOP

    針腳�(shù):4

    N溝道柵極電荷 Qg:200nC

    功率, Pd:700W

    封裝類型:ISOTOP

    晶體管類�:MOSFET

    熱阻, �(jié)至外� A:0.18°C/W

    電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V

    電壓, Vds 典型�:600V

    電容�, Ciss 典型�:12000pF

    電流, Id 連續(xù):64A

    表面安裝器件:螺絲安裝

    閾值電�, Vgs th 典型�:5V

    時間, trr 最�:200ns


資料

廠商
IXYS

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ixfn64n60p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10
  • 類別半導(dǎo)體模�
  • 家庭FET
  • 系列PolarHV™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C96 毫歐 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 25V
  • 功率 - 最�700W
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-227B
  • 包裝管件