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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXFM75N10

IXFM75N10 發(fā)布時間 時間�2023/11/29 17:30:46 查看 閱讀�213

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HiPerFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�20 毫歐 @ 500mA, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�75A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�4V @ 4mA
閘電�(Qg) @ Vgs�260nC @ 10V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �4500pF @ 25V
功率 - 最大:300W
安裝類型:底座安�
封裝/外殼:TO-204,TO-3
包裝:托�

ixfm75n10推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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ixfm75n10資料 更多>

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ixfm75n10參數(shù)

  • 制造商IXYS
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓100 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流75 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.02 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 封裝 / 箱體TO-204AE
  • 封裝Tube
  • 下降時間60 ns
  • 正向跨導(dǎo) gFS(最大�/最小值)30 s
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散300 W
  • 上升時間60 ns
  • 工廠包裝�(shù)�20
  • 典型�(guān)閉延遲時�80 ns