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IXFK140N30P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:09:01 查看 閱讀�25

IXFK140N30P 是一款由 IXYS 公司生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET,采� TO-247 封裝形式。該器件具有高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)域�
  該芯片設(shè)�(jì)用于高壓�(yīng)用環(huán)�,具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠承受較大的電流�(fù)�,并在高頻開(kāi)�(guān)條件下保持高效性能�

參數(shù)

型號(hào):IXFK140N30P
  類型:N溝道功率MOSFET
  封裝:TO-247
  最大漏源電壓Vds�300V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�140A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�8mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗Ptot�250W
  �(jié)溫范圍Tj�-55°C � +175°C
  �(kāi)�(guān)頻率:支持高�(dá)100kHz的應(yīng)�
  存儲(chǔ)溫度范圍Tstg�-65°C � +150°C

特�

IXFK140N30P 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高電壓操作能�,可承受300V的漏源電壓,適用于多種高壓場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電�,典型值僅�8mΩ,從而降低導(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  3. 大電流處理能�,支持高�(dá)140A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率需求�
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  5. �(qiáng)大的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)�,最高結(jié)溫可�(dá)175°C�
  6. 良好的電氣穩(wěn)定�,確保長(zhǎng)�(shí)間使用中的安全性和一致��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�

�(yīng)�

IXFK140N30P 在眾多領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用,主要包括�
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,如工業(yè)電源和通信電源�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電�(dòng)汽車和太�(yáng)能逆變器等�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),適用于家用電器、工�(yè)�(jī)械和電動(dòng)工具�
  4. UPS 系統(tǒng),提供可靠的備用電源解決方案�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�,例如伺服控制器和變頻器�
  6. 充電器和電池管理系統(tǒng),為便攜式設(shè)備和�(chǔ)能系�(tǒng)供電�
  其高效率和強(qiáng)耐用性使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IXFN140N30P, IRFP260N, STP140N30F5

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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ixfk140n30p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝25
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)300V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C140A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫歐 @ 70A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds14800pF @ 25V
  • 功率 - 最�1040W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-264-3,TO-264AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-264
  • 包裝管件