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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IXFH34N65X2

IXFH34N65X2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 9:46:24 查看 閱讀�22

IXFH34N65X2 是一款由 IXYS 公司生產(chǎn)的高� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 Trench 技�(shù)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及逆變器等�(lǐng)��
  這款 MOSFET 的額定電壓為 650V,能夠承受較高的漏源極電壓,同時(shí)具備較強(qiáng)的電流處理能�,使其在工業(yè)及消�(fèi)類電子領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�650V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�19A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�180mΩ(典型值,@Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�270W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-247

特�

IXFH34N65X2 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高額定電� (650V),適用于各種高壓�(yīng)用場(chǎng)景;
  2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能,減小開�(guān)損�,在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  4. �(qiáng)大的雪崩能量能力,提高了器件在異常工作條件下的可靠��
  5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�

�(yīng)�

IXFH34N65X2 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),如 PC 電源、適配器等;
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電平轉(zhuǎn)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,控制直流無刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  4. 逆變器電�,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電;
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 太陽能微逆變器以及其他新能源相關(guān)�(shè)��

替代型號(hào)

IXFN40N65T2, IRFP460, STW83N65M2

ixfh34n65x2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ixfh34n65x2資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ixfh34n65x2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�100�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �67.42000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)34A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)105 毫歐 @ 17A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5.5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)56 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3330 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)540W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247(IXTH�
  • 封裝/外殼TO-247-3