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IXFH15N100P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/7 14:48:40 查看 閱讀�331

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:Polar?

 

目錄

概述

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:Polar?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�760 毫歐 @ 500mA, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�1000V (1kV)

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�15A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�6.5V @ 1mA

    閘電�(Qg) @ Vgs�97nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �5140pF @ 25V

    功率 - 最大:543W

    安裝�(lèi)型:通孔

    封裝/外殼:TO-247

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
IXYS

ixfh15n100p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

ixfh15n100p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1000V�1kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C760 毫歐 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs97nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5140pF @ 25V
  • 功率 - 最�543W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247
  • 包裝管件