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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > IXFB210N20P

IXFB210N20P 發(fā)布時間 時間�2024/9/25 10:36:34 查看 閱讀�722

參數

類別:分離式半導體產�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:Polar?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點:標準型
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�10.5毫歐 500mA,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�200V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�210A
  Id時的Vgs(th)(最大)�4.5V 8mA
  閘電�(Qg) Vgs�255nC 10V
  在Vds時的輸入電容(Ciss)�18600pF 25V
  功率-最大:1500W

封裝參數

安裝類型:通孔
  封裝/外殼�3-PLUS264?
  包裝:管�

ixfb210n20p推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixfb210n20p參數

  • 標準包裝25
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C210A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫歐 @ 105A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs255nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds18600pF @ 25V
  • 功率 - 最�1500W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-264-3,TO-264AA
  • 供應商設備封�PLUS264?
  • 包裝管件