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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXEN60N120D1

IXEN60N120D1 發(fā)布時間 時間�2024/9/25 10:38:19 查看 閱讀�759

參數(shù)

制造商:IXYS
  封裝/箱體:SOT-227B
  集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO:1200 V
  集電極—射極飽和電�:2.1 V
  柵極/�(fā)射極最大電�:20 V
  集電極最大連續(xù)電流Ic:100 A

封裝參數(shù)

封裝:Tube
  配置:Single

物理參數(shù)

最大工作溫�:+150 C
  最小工作溫�:-40 C

ixen60n120d1推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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ixen60n120d1參數(shù)

  • 標準包裝10
  • 類別半導體模�
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT
  • 配置單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.7V @ 15V�60A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100A
  • 電流 - 集電極截止(最大)800µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)3.8nF @ 25V
  • 功率 - 最�445W
  • 輸入標準�
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設(shè)備封�SOT-227B