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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXDN55N120D1

IXDN55N120D1 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 14:50:27 查看 閱讀�702

    制造商: IXYS

    封裝 / 箱體: SOT-227B

   

目錄

概述

    制造商: IXYS

    封裝 / 箱體: SOT-227B

    集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1200 V

    集電極—射極飽和電�: 2.3 V

    柵極/�(fā)射極最大電�: 20 V

    集電極最大連續(xù)電流 Ic: 100 A

    封裝: Tube

    配置: Single Dual Emitter

    最大工作溫�: + 150 C

    最小工作溫�: - 40 C


資料

廠商
IXYS

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ixdn55n120d1參數(shù)

  • 標準包裝10
  • 類別半導體模�
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT
  • 配置單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.8V @ 15V�55A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100A
  • 電流 - 集電極截止(最大)3.8mA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)3.3nF @ 25V
  • 功率 - 最�450W
  • 輸入標準�
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封�SOT-227B