ISC058N04NM5是一款基于硅材料制造的高壓MOSFET器件,采用N溝道增強(qiáng)型設(shè)�。它主要適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及各種工�(yè)控制�(yīng)用中。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開�(guān)性能,能夠在高頻率下�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
最大漏源電壓:400V
連續(xù)漏極電流�5.8A
�(dǎo)通電阻:1.3Ω
柵極電荷�29nC
開關(guān)速度:高
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55℃至150�
ISC058N04NM5具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)400V的工作電�,適用于多種高壓場景�
2. 極低的導(dǎo)通電�,僅�1.3Ω,有助于降低功耗并提升效率�
3. 柵極電荷�?�?9nC�,使得器件在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�
4. �(yōu)化的熱性能,適合長時間�(wěn)定運(yùn)行�
5. 提供出色的雪崩擊穿能力和耐用�,增�(qiáng)了整體可靠��
ISC058N04NM5廣泛�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 逆變�
4. 電機(jī)�(qū)動與控制
5. 工業(yè)自動化設(shè)�
6. 其他需要高壓開�(guān)的電子電路中
IRF540N
FDP17N10
STP17NF06