IS62WV1288BLL-55TLI 是一款高性能、低功耗的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生產(chǎn)。該芯片具有高速存取、高可靠性以及緊湊封裝的特點(diǎn),適用于需要快速數(shù)據(jù)處理和穩(wěn)定存儲(chǔ)的應(yīng)用場景。這款 SRAM 的容量為 128K x 8 位,采用 LLP(Low Profile Quad Flat Package)封裝形式,適合空間受限的設(shè)計(jì)。
存儲(chǔ)容量:128K x 8位
訪問時(shí)間:5.5ns
電源電壓:2.5V ± 0.1V
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
I/O 電平:LVTTL
封裝類型:LLP-48
數(shù)據(jù)保持時(shí)間:無限
寫周期時(shí)間:5.5ns
功耗:低功耗模式可選
IS62WV1288BLL-55TLI 具有以下主要特性:
1. 高速存取能力,訪問時(shí)間僅為 5.5 納秒,確�?焖俚臄�(shù)據(jù)傳輸。
2. 低功耗設(shè)計(jì),非常適合對(duì)功耗要求嚴(yán)格的便攜式設(shè)備。
3. 支持單周期存取,無需等待狀態(tài)即可完成讀寫操作。
4. 高可靠性,在工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)(-40°C 至 +85°C)穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 異步 SRAM 架構(gòu),簡化了時(shí)序控制設(shè)計(jì)。
6. 提供靈活的封裝選項(xiàng),滿足不同的應(yīng)用需求。
7. 數(shù)據(jù)保持時(shí)間無限制,即使在斷電后仍能可靠保存數(shù)據(jù)直至下次上電。
該芯片廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的臨時(shí)數(shù)據(jù)緩存。
2. 醫(yī)療設(shè)備中關(guān)鍵數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)存儲(chǔ)。
3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中的包緩沖和流量管理。
4. 嵌入式系統(tǒng)中的程序代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)緩存。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的傳感器數(shù)據(jù)記錄。
6. 測試測量儀器中的快速數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)。
IS62LV1288ALL-55TIN, IS62WV25616BLL-55TLI, AS6C1008