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IS61WV25616BLL-10TLI-TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 16:51:48 查看 閱讀�36

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的高� CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,提供高密度、低功耗和快速訪問時(shí)間的特�,適用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
  這款 SRAM 的組織結(jié)�(gòu)� 256K x 16 �,總?cè)萘繛?4Mbit。其工作電壓范圍� 3.3V,并支持工業(yè)�(jí)溫度范圍�-40°C � +85°C�,確保在各種�(huán)境條件下可靠�(yùn)�。此外,該器件采用符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TQFP 封裝形式,便于集成到�(fù)雜的電子系統(tǒng)中�

參數(shù)

容量�4Mbit
  組織�(jié)�(gòu)�256K x 16
  訪問�(shí)間:10ns
  工作電壓�3.3V
  溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TQFP
  I/O �(shù)量:32

特�

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 提供了以下關(guān)鍵特性:
  1. 快速訪問時(shí)間:10ns 的典型訪問時(shí)間確保了�(shù)�(jù)的高效讀寫操��
  2. 高密度存�(chǔ)�256K x 16 的存�(chǔ)�(jié)�(gòu)提供了較大的存儲(chǔ)空間,適合復(fù)雜應(yīng)用需��
  3. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)模式下具有極低的功�,適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景�
  4. 工業(yè)�(jí)溫度范圍:能夠在 -40°C � +85°C 的寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適用于惡劣�(huán)��
  5. 引腳兼容性:與同� SRAM 器件引腳兼容,便于升�(jí)或替換現(xiàn)有設(shè)�(jì)�
  6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)�,確保在�(zhǎng)�(shí)間使用中的穩(wěn)定��

�(yīng)�

IS61WV25616BLL-10TLI-TR 廣泛�(yīng)用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:如路由器、交換機(jī)等需要快速數(shù)�(jù)緩存的場(chǎng)��
  2. 工業(yè)控制:用于實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集與處理系�(tǒng)�
  3. 通信系統(tǒng):支持高速數(shù)�(jù)傳輸及緩��
  4. �(yī)療設(shè)備:如超聲波�(shè)備、監(jiān)�(hù)儀等需要可靠存�(chǔ)的醫(yī)療儀��
  5. 軍事與航空航天:由于其寬溫特性和高可靠�,適合特殊環(huán)境下的應(yīng)用�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:高端消費(fèi)類設(shè)備需要大容量、快速響�(yīng)的存�(chǔ)方案�

替代型號(hào)

IS61WV25616BLL-10BLL
  IS61WV25616BLL-10BLL-T
  IS61WV25616BLL-12BLL
  IS61WV25616BLL-12BLL-T

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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is61wv25616bll-10tli-tr參數(shù)

  • 制造商ISSI
  • �(chǎn)品種�靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�
  • 存儲(chǔ)容量4 Mbit
  • 訪問�(shí)�10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作電�40 mA
  • 最大工作溫�+ 85 C
  • 最小工作溫�- 40 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-II
  • 封裝Reel
  • 端口�(shù)�1
  • 工廠包裝�(shù)�1000
  • 類型Asynchronous