IS61WV102416FALL-20BLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的高� CMOS SRAM 芯片。該芯片具有高密�、低功耗和快速存取時(shí)間的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于需要高性能�(nèi)存的系統(tǒng)中。這款 SRAM 提供� 1024K x 16 的存�(chǔ)容量,支持同步突�(fā)模式,從而提升了�(shù)�(jù)傳輸效率�
IS61WV102416FALL-20BLI 使用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),確保其在各種應(yīng)用環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性�
存儲(chǔ)容量�1024K x 16 bits (2MBytes)
存取�(shí)間:20ns
電源電壓�3.3V ± 0.3V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
I/O 引腳:符� SSTL-2 �(biāo)�(zhǔn)
封裝類型:BGA (球柵陣列封裝)
�(shù)�(jù)寬度�16 �
�(shí)鐘頻率:最高支� 55MHz
IS61WV102416FALL-20BLI 具有以下主要特性:
1. 高速操作:提供 20ns 的存取時(shí)�,適用于高性能�(jì)算環(huán)��
2. 同步突發(fā)模式:支持自�(dòng)�(yù)取功�,提升數(shù)�(jù)讀取速度�
3. 低功耗設(shè)�(jì):待�(jī)模式下功耗極�,滿足節(jié)能需��
4. 可配置的突發(fā)�(zhǎng)度:用戶可以靈活�(shè)置突�(fā)�(zhǎng)度以�(yōu)化性能�
5. �(wěn)定性高:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試流�,保證在寬溫范圍�(nèi)的穩(wěn)定��
6. 支持工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)命令集:兼容 JEDEC �(biāo)�(zhǔn)�(xié)�,易于集成到�(xiàn)有系�(tǒng)中�
7. 高密度存�(chǔ):提供大容量的內(nèi)存解決方�,減少板�(jí)空間占用�
這款 SRAM 芯片適用于多種高性能�(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
1. 工業(yè)控制:用于實(shí)�(shí)控制系統(tǒng)中的高速緩��
2. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:為路由器、交換機(jī)等網(wǎng)�(luò)硬件提供臨時(shí)存儲(chǔ)�
3. 圖形處理:作為圖形控制器的幀緩沖區(qū)或頂�(diǎn)緩存�
4. �(yī)療設(shè)備:支持�(yī)療影像處理中的高速數(shù)�(jù)暫存�
5. 消費(fèi)類電子:用作游戲�(jī)或其他多媒體�(shè)備的臨時(shí)存儲(chǔ)區(qū)��
6. 嵌入式系�(tǒng):在嵌入式處理器中充�(dāng)二級(jí)或三�(jí)緩存�
IS61LV1024AL-12TC, IS61WV51216BLL-15BLI