時間：2025/5/19 16:59:25
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IS61LV6416-10TL 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生產(chǎn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）。該芯片具有高速、低功耗的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、工業(yè)控制和其他需要高性能數(shù)據(jù)存儲的場景。
該型號屬于 IS61LV 系列，采用 48 腳 TSOP 封裝，提供 64K x 16 的存儲容量。其工作電壓范圍為 3.3V，并支持快速訪問時間以滿足實(shí)時應(yīng)用的需求。
存儲容量：64K x 16位（128Kb）
訪問時間：10ns
工作電壓：3.3V±0.3V
封裝形式：48 引腳 TSOP-II
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)保持時間：無限期（在有效電源條件下）
刷新要求：無需刷新
I/O 結(jié)構(gòu)：三態(tài)輸出緩沖器
IS61LV6416-10TL 具有以下主要特性：
1. 高速操作：10ns 的訪問時間確保了快速的數(shù)據(jù)交換能力。
2. 低功耗設(shè)計(jì)：在典型工作條件下，該器件具有較低的動態(tài)和靜態(tài)功耗。
3. 單電源供電：簡化了電路設(shè)計(jì)，僅需一個 3.3V 電源即可運(yùn)行。
4. 非易失性數(shù)據(jù)保護(hù)：內(nèi)置硬件和軟件寫保護(hù)功能，防止意外寫入或修改。
5. 完全靜態(tài)操作：無需時鐘信號或刷新電路，降低了系統(tǒng)復(fù)雜度。
6. 高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格測試，適用于工業(yè)級應(yīng)用環(huán)境。
7. 快速讀/寫周期：支持對稱的讀寫速度，優(yōu)化性能表現(xiàn)。
該芯片適合多種應(yīng)用場景，包括但不限于：
1. 嵌入式系統(tǒng)的臨時數(shù)據(jù)緩存。
2. 工業(yè)自動化中的實(shí)時數(shù)據(jù)處理。
3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中的包緩沖。
4. 醫(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中需要快速響應(yīng)的場合。
由于其出色的性能和穩(wěn)定性，IS61LV6416-10TL 在高要求環(huán)境下表現(xiàn)出色。
IS61LV6416A-10BLL, CY62166EV30LP, AS6C6416-10TIN
