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IS61LV5128AL-10KLI 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 15:25:26 查看 閱讀：22

IS61LV5128AL-10KLI 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生產(chǎn)的高速低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。該器件具有 512K x 8 的存儲(chǔ)容量，總?cè)萘繛?4Mbit。它采用先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)制造，支持快速訪問(wèn)時(shí)間，并且具有較低的功耗特性，適用于需要高性能和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　該芯片工作電壓范圍為 3.3V，適合在各種嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備以及其他需要快速數(shù)據(jù)讀寫(xiě)的場(chǎng)合使用。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量：512K x 8 (4Mbit)
　　訪問(wèn)時(shí)間：10ns
　　電源電壓：3.3V (+/- 0.3V)
　　封裝形式：TQFP-44 (L 型)
　　工作溫度范圍：工業(yè)級(jí) -40°C 至 +85°C
　　引腳數(shù)：44
　　數(shù)據(jù)寬度：8位
　　輸入輸出配置：三態(tài)輸出
　　封裝材料：Pb-Free

特性

IS61LV5128AL-10KLI 具有以下主要特性：
　　1. 快速訪問(wèn)時(shí)間：典型值為 10ns，確保高效的數(shù)據(jù)傳輸。
　　2. 低功耗設(shè)計(jì)：待機(jī)電流極低，適合對(duì)功耗敏感的應(yīng)用。
　　3. 高可靠性：CMOS 工藝確保了器件的高穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命。
　　4. 簡(jiǎn)單的控制接口：僅需兩個(gè)控制信號(hào)（/CE 和 /OE），易于與微控制器或其他邏輯電路集成。
　　5. 三態(tài)輸出緩沖器：允許直接連接到多路總線系統(tǒng)。
　　6. 寬工作溫度范圍：能夠在工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)各種環(huán)境條件。

應(yīng)用

這款 SRAM 芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 嵌入式系統(tǒng)：用于緩存程序代碼或臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
　　2. 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備：如路由器、交換機(jī)等，用作數(shù)據(jù)包緩沖。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化：實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)暫存。
　　4. 通信設(shè)備：基站、調(diào)制解調(diào)器等中作為高速緩存。
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：如打印機(jī)、掃描儀等需要快速數(shù)據(jù)處理的設(shè)備。

替代型號(hào)

IS61LV5128AL-10BLL, IS61LV5128ALL-10BLL

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is61lv5128al-10kli參數(shù)

  • 制造商ISSI
  • 產(chǎn)品種類靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
  • 存儲(chǔ)容量4 Mbit
  • 組織512 K x 8
  • 訪問(wèn)時(shí)間10 ns
  • Supply Voltage - Max3.63 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作電流95 mA
  • 最大工作溫度+ 85 C
  • 最小工作溫度- 40 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOJ-36
  • 封裝Tube
  • 接口TTL
  • 端口數(shù)量1
  • 工廠包裝數(shù)量19
  • 類型Asynchronous