IS43TR16512BL-125KBL 是一款高性能、低功耗的 SDRAM(同步動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生�(chǎn)。該芯片主要用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)�?yīng)用場(chǎng)�,例如網(wǎng)�(luò)�(shè)備、工�(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等。其采用 512Mb 的存�(chǔ)密度,并支持 16M x 32 的組織形式。此�,它還具有出色的�(wěn)定性和可靠性,能夠在廣泛的溫度范圍�(nèi)正常工作�
存儲(chǔ)容量�512Mb
組織形式�16M x 32
電壓范圍:Vcc = 2.5V ± 0.1V
�(shù)�(jù)寬度�32�
�(shí)鐘頻率:最高支� 133MHz
訪問(wèn)�(shí)間:CL=2/2.5/3
封裝類型:BGA(球柵陣列封裝)
工作溫度�-40°C � +85°C
引腳�(shù)�184
IS43TR16512BL-125KBL 提供了多種關(guān)鍵特性以滿足高性能需求:
1. 支持 DDR � Burst 模式操作,可�(shí)�(xiàn)高效的數(shù)�(jù)傳輸�
2. 具有自動(dòng)刷新和自刷新功能,確保數(shù)�(jù)在長(zhǎng)�(shí)間未使用的情況下仍然保持完整�
3. �(nèi)置模式寄存器,允許用戶根�(jù)�(shí)際需求調(diào)整芯片的工作狀�(tài)�
4. 高速時(shí)鐘信�(hào)支持,能夠與�(xiàn)代處理器�(wú)縫配合�
5. 支持 CAS 延遲�(shè)置(CL=2/2.5/3�,優(yōu)化不同應(yīng)用場(chǎng)景下的性能表現(xiàn)�
6. 低功耗設(shè)�(jì),有助于延長(zhǎng)電池壽命或降低系�(tǒng)散熱壓力�
7. 廣泛的工作溫度范圍使其適用于各種�(huán)境條��
IS43TR16512BL-125KBL 芯片因其高性能和高可靠�,廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由�、交換機(jī)和網(wǎng)�(guān)�
2. 工業(yè)控制�(shè)�,例� PLC(可編程邏輯控制器)� CNC �(jī)床�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,包括打印機(jī)、掃描儀和數(shù)碼相�(jī)�
4. �(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)記錄和處理模塊�
5. 嵌入式系�(tǒng),用于圖像處理和�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)分析�
6. 任何需要大容量、高速數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)合都可以考慮使用該芯��
IS43TR16512BLL-125KBL, IS43TR16512BLJ-125KBL