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IS43TR16512B-125KBLI 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 19:58:05 查看 閱讀:6

IS43TR16512B-125KBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高性能 DDR3L SDRAM 芯片,主要面向消費電子、工業(yè)控制、通信設備和嵌入式系統(tǒng)等應用領域。該芯片采用先進的工藝制造,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對內存性能的嚴苛要求。
  這款 DDR3L 內存芯片具備 16Gb 的存儲容量(2Gx8 組織),并支持 800 Mbps 和 1066 Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率。其低電壓設計(1.35V 核心供電)進一步降低了能耗,非常適合需要長時間運行或電池供電的應用場景。

參數(shù)

類型:DDR3L SDRAM
  容量:16 Gb (2G x 8)
  位寬:8位
  速度:800/1066 Mbps
  核心電壓:1.35V
  I/O 電壓:1.5V
  封裝:BGA 256 球
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  引腳間距:1.0mm
  數(shù)據(jù)寬度:x8

特性

IS43TR16512B-125KBLI 具備多種先進特性,包括但不限于以下幾點:
  1. 支持 ECC(糾錯碼)功能,可顯著提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?br>  2. 配備 On-Die Termination(ODT)功能,優(yōu)化信號完整性,尤其是在高速數(shù)據(jù)傳輸時。
  3. 采用 Burst Length 為 8 的突發(fā)模式,提升數(shù)據(jù)吞吐量。
  4. 提供自動刷新和自刷新功能,確保在低功耗模式下數(shù)據(jù)保持完整。
  5. 支持 CAS Latency(CL)值為 6 和 7,以適配不同的系統(tǒng)需求。
  6. 工作溫度范圍廣,適應各種惡劣環(huán)境下的應用需求。
  7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠。
  這些特性使得 IS43TR16512B-125KBLI 成為一種高效、可靠的存儲解決方案,廣泛適用于需要大容量、高速度和低功耗的場合。

應用

IS43TR16512B-125KBLI 主要應用于以下領域:
  1. 消費電子產品:如智能電視、機頂盒和多媒體播放器等,提供高質量的視頻和音頻處理能力。
  2. 嵌入式系統(tǒng):例如工業(yè)控制器、醫(yī)療設備和車載信息系統(tǒng),確保實時性和穩(wěn)定性。
  3. 通信設備:如路由器、交換機和基站,支持高帶寬的數(shù)據(jù)傳輸。
  4. 物聯(lián)網(wǎng)終端:用于邊緣計算設備,提供足夠的內存支持復雜算法和大數(shù)據(jù)處理。
  5. 游戲設備:支持圖形密集型應用,提升用戶體驗。
  憑借其卓越的性能和可靠性,IS43TR16512B-125KBLI 在上述應用中表現(xiàn)出色,成為眾多設計工程師的理想選擇。

替代型號

IS43TR16512B-125ABLI
  IS43TR16512B-125KBL
  IS43TR16512B-125AB

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is43tr16512b-125kbli產品

is43tr16512b-125kbli參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量658現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥207.97000托盤
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • 產品狀態(tài)在售
  • 存儲器類型易失
  • 存儲器格式DRAM
  • 技術SDRAM - DDR3
  • 存儲容量8Gb
  • 存儲器組織512M x 16
  • 存儲器接口并聯(lián)
  • 時鐘頻率800 MHz
  • 寫周期時間 - 字,頁-
  • 訪問時間20 ns
  • 電壓 - 供電1.425V ~ 1.575V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應商器件封裝96-TWBGA(10x14)