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IS43TR16256AL-107MBLI 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 23:03:08 查看 閱讀:8

IS43TR16256AL-107MBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生產(chǎn)的高速同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)。該器件采用 16Mx16 的存儲結(jié)構(gòu),提供高達(dá) 256Mb 的存儲容量。它支持 DDR2 接口標(biāo)準(zhǔn),適用于高性能計算、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備以及工業(yè)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。
  該芯片通過優(yōu)化設(shè)計和低功耗工藝制造,具備出色的性能和穩(wěn)定性,能夠滿足多種復(fù)雜應(yīng)用場景的需求。

參數(shù)

類型:SDRAM
  接口:DDR2
  容量:256Mb
  組織結(jié)構(gòu):16Mx16
  工作電壓:1.8V
  數(shù)據(jù)速率:最高 667Mbps
  封裝形式:BGA
  引腳數(shù):196
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +85℃

特性

IS43TR16256AL-107MBLI 提供了高度可靠的存儲解決方案,其主要特點包括:
  1. 支持 DDR2 接口,可實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)速率傳輸,顯著提升數(shù)據(jù)吞吐量。
  2. 內(nèi)置 DLL(延遲鎖定環(huán)),確保信號時序精確對齊。
  3. 配備 ODT(片內(nèi)終結(jié)電阻)功能,減少信號反射并優(yōu)化系統(tǒng)性能。
  4. 支持 CAS 緯度可編程配置,靈活適應(yīng)不同應(yīng)用場景需求。
  5. 采用先進的 CMOS 工藝,降低功耗的同時提高運行效率。
  6. 支持自動刷新與自刷新模式,簡化系統(tǒng)管理復(fù)雜度。
  7. 提供全面的 ECC(錯誤檢查與糾正)支持,增強數(shù)據(jù)完整性與可靠性。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于需要大容量、高性能內(nèi)存的場景,例如:
  1. 路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中的緩存或臨時數(shù)據(jù)存儲。
  2. 工業(yè)控制系統(tǒng)中的實時數(shù)據(jù)處理模塊。
  3. 醫(yī)療成像設(shè)備及科學(xué)儀器的數(shù)據(jù)緩沖與分析。
  4. 嵌入式系統(tǒng)中的程序運行空間擴展。
  5. 視頻處理和圖形渲染硬件中的幀緩沖區(qū)存儲。

替代型號

IS43TR16256A-107MBL, IS43TR16256B-107MBLI

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  • 封裝/批號
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is43tr16256al-107mbli參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 存儲器類型易失
  • 存儲器格式DRAM
  • 技術(shù)SDRAM - DDR3L
  • 存儲容量4Gb
  • 存儲器組織256M x 16
  • 存儲器接口并聯(lián)
  • 時鐘頻率933 MHz
  • 寫周期時間 - 字,頁15ns
  • 訪問時間20 ns
  • 電壓 - 供電1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封裝96-TWBGA(9x13)