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IS43TR16128BL-107MBLI 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:17:01 查看 閱讀�30

IS43TR16128BL-107MBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生�(chǎn)的低功�、高性能� 16Mb Synchronous DRAM (SDRAM)。該芯片采用先�(jìn)� CMOS 工藝制�,具有高可靠性、低功耗和高速度的特�(diǎn)。這款 SDRAM 支持廣泛的應(yīng)用場(chǎng)�,包括消�(fèi)電子、通信�(shè)�、工�(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)等�
  該器件支� 16Mbit 的存�(chǔ)容量,并采用 x8 � x16 的數(shù)�(jù)寬度配置。其工作電壓為標(biāo)�(zhǔn)� 3.3V,能夠滿足多種應(yīng)用需��

參數(shù)

容量�16Mbit
  �(shù)�(jù)寬度:x8/x16
  工作電壓�3.3V
  頻率�100MHz
  封裝�(lèi)型:BGA
  引腳�(shù)�100
  溫度范圍�-40°C � +85°C
  訪問(wèn)�(shí)間:7ns

特�

IS43TR16128BL-107MBLI 具備以下主要特性:
  1. 支持同步�(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器接口,能夠與各種微處理器和控制器無(wú)縫連接�
  2. 提供兩種�(shù)�(jù)寬度選項(xiàng)(x8 � x16�,方便根�(jù)具體需求選擇合適的配置�
  3. 采用 Burst 模式操作,顯著提高數(shù)�(jù)傳輸效率�
  4. �(nèi)置自�(dòng)刷新功能,減少外部控制邏輯的需��
  5. 支持 CAS 延遲可編程設(shè)�,提供靈活的操作模式�
  6. 低功耗設(shè)�(jì),適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景�
  7. 完全兼容 JEDEC �(biāo)�(zhǔn),便于在�(xiàn)有系�(tǒng)中直接替換其他品牌的�(lèi)似產(chǎn)��

�(yīng)�

IS43TR16128BL-107MBLI 被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)�,例如數(shù)碼相�(jī)、機(jī)頂盒和游戲機(jī)��
  2. �(wǎng)�(luò)和通信�(shè)備,如路由器、交換機(jī)和基站等�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng),用于實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理和存�(chǔ)�
  4. 嵌入式系�(tǒng),為微控制器� DSP 提供高效的外部存�(chǔ)�(kuò)展�
  5. �(yī)療設(shè)備和�(cè)試測(cè)�?jī)x�,確保穩(wěn)定性和可靠性�

替代型號(hào)

IS43TR16128B-10TLI
  MT48LC16M16A2P-7E
  K4S561632K-UC70

is43tr16128bl-107mbli推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

is43tr16128bl-107mbli參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包裝托盤(pán)
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類(lèi)�易失
  • 存儲(chǔ)器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR3L
  • 存儲(chǔ)容量2Gb
  • 存儲(chǔ)器組�128M x 16
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�933 MHz
  • �(xiě)周期�(shí)� - �,頁(yè)15ns
  • 訪問(wèn)�(shí)�20 ns
  • 電壓 - 供電1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�96-TWBGA�9x13�