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IS43DR16640B-3DBLI 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 8:54:08 查看 閱讀�42

IS43DR16640B-3DBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高速低功耗DDR3 SDRAM存儲(chǔ)芯片。該器件采用先�(jìn)的制造工�,提供大容量的存�(chǔ)解決方案,適合于�(duì)性能和功耗要求較高的�(yīng)用場��
  這款芯片具有16M x 64位的組織�(jié)�(gòu),總存儲(chǔ)容量�1Gb。它支持DDR3�(biāo)�(zhǔn)接口�(xié)議,并在�(shí)鐘速率、數(shù)�(jù)傳輸速度等方面表�(xiàn)�(yōu)�。此�,該器件還具有多種省電模�,能夠有效降低功��

參數(shù)

容量�1Gb
  組織�(jié)�(gòu)�16M x 64
  接口類型:DDR3
  工作電壓Vcc�1.35V ± 0.05V
  工作電壓Vccq�1.35V ± 0.05V
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá)1600Mbps
  封裝形式:BGA276
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  引腳間距�1.0mm

特�

IS43DR16640B-3DBLI具備以下主要特性:
  1. 支持DDR3 SDRAM�(guī)�,兼容JEDEC�(biāo)�(zhǔn)�
  2. 高速數(shù)�(jù)傳輸能力,最高速率可達(dá)1600Mbps�
  3. 采用低功耗設(shè)�(jì),支持多種省電模�,例如自刷新模式、深度掉電模式等�
  4. �(nèi)�8位或16位預(yù)取架�(gòu),提升數(shù)�(jù)訪問效率�
  5. 提供高性能的突�(fā)傳輸模式,支持突�(fā)長度�4�8��
  6. 支持同步接口操作,數(shù)�(jù)輸入輸出通過差分�(shí)鐘信�(hào)�(jìn)行控��
  7. 具有較強(qiáng)的抗干擾能力和穩(wěn)定�,適用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用場��
  8. 封裝形式緊湊,便于系�(tǒng)集成�

�(yīng)�

IS43DR16640B-3DBLI廣泛�(yīng)用于需要大容量存儲(chǔ)和高帶寬�(shù)�(jù)傳輸?shù)膱鼍爸校ǖ幌抻冢?br>  1. 工業(yè)控制�(shè)�,如PLC、運(yùn)�(dòng)控制器等�
  2. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由器、交換機(jī)��
  3. 嵌入式計(jì)算平�(tái),例如單板計(jì)算機(jī)、工控主板等�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,如高清電�、機(jī)頂盒、智能音響等�
  5. �(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)采集與處理模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng),用于導(dǎo)�、娛樂及信息顯示等功��

替代型號(hào)

IS43TR16640B-3DLI
  MT41K128M16JT-045E
  K4B2G164QF-BCJL

is43dr16640b-3dbli推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

is43dr16640b-3dbli參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�209�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �71.07000托盤
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�(jì)
  • 存儲(chǔ)器類�易失
  • 存儲(chǔ)器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR2
  • 存儲(chǔ)容量1Gb
  • 存儲(chǔ)器組�64M x 16
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�333 MHz
  • 寫周期時(shí)� - �,頁15ns
  • 訪問�(shí)�450 ps
  • 電壓 - 供電1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼84-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�84-TWBGA�8x12.5�