IS43DR16640B-3DBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高速低功耗DDR3 SDRAM存儲(chǔ)芯片。該器件采用先�(jìn)的制造工�,提供大容量的存�(chǔ)解決方案,適合于�(duì)性能和功耗要求較高的�(yīng)用場��
這款芯片具有16M x 64位的組織�(jié)�(gòu),總存儲(chǔ)容量�1Gb。它支持DDR3�(biāo)�(zhǔn)接口�(xié)議,并在�(shí)鐘速率、數(shù)�(jù)傳輸速度等方面表�(xiàn)�(yōu)�。此�,該器件還具有多種省電模�,能夠有效降低功��
容量�1Gb
組織�(jié)�(gòu)�16M x 64
接口類型:DDR3
工作電壓Vcc�1.35V ± 0.05V
工作電壓Vccq�1.35V ± 0.05V
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá)1600Mbps
封裝形式:BGA276
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�1.0mm
IS43DR16640B-3DBLI具備以下主要特性:
1. 支持DDR3 SDRAM�(guī)�,兼容JEDEC�(biāo)�(zhǔn)�
2. 高速數(shù)�(jù)傳輸能力,最高速率可達(dá)1600Mbps�
3. 采用低功耗設(shè)�(jì),支持多種省電模�,例如自刷新模式、深度掉電模式等�
4. �(nèi)�8位或16位預(yù)取架�(gòu),提升數(shù)�(jù)訪問效率�
5. 提供高性能的突�(fā)傳輸模式,支持突�(fā)長度�4�8��
6. 支持同步接口操作,數(shù)�(jù)輸入輸出通過差分�(shí)鐘信�(hào)�(jìn)行控��
7. 具有較強(qiáng)的抗干擾能力和穩(wěn)定�,適用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用場��
8. 封裝形式緊湊,便于系�(tǒng)集成�
IS43DR16640B-3DBLI廣泛�(yīng)用于需要大容量存儲(chǔ)和高帶寬�(shù)�(jù)傳輸?shù)膱鼍爸校ǖ幌抻冢?br> 1. 工業(yè)控制�(shè)�,如PLC、運(yùn)�(dòng)控制器等�
2. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,如路由器、交換機(jī)��
3. 嵌入式計(jì)算平�(tái),例如單板計(jì)算機(jī)、工控主板等�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,如高清電�、機(jī)頂盒、智能音響等�
5. �(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)采集與處理模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng),用于導(dǎo)�、娛樂及信息顯示等功��
IS43TR16640B-3DLI
MT41K128M16JT-045E
K4B2G164QF-BCJL