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IS43DR16640B-25DBLI 發(fā)布時間 時間:2025/5/30 12:45:41 查看 閱讀:6

IS43DR16640B-25DBLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生產(chǎn)的高速低功耗DDR3L SDRAM芯片,廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)電子和通信設(shè)備中。該芯片具有高容量和高性能的特點(diǎn),支持多種接口速率和數(shù)據(jù)寬度配置,適合需要大內(nèi)存帶寬的應(yīng)用場景。
  這款芯片采用先進(jìn)的制程工藝制造,具備出色的可靠性和穩(wěn)定性。它支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR3L規(guī)范,能夠在較低的工作電壓下運(yùn)行,從而降低整體功耗。

參數(shù)

類型:SDRAM
  存儲容量:16Gb (2G x 8)
  接口類型:DDR3L
  工作電壓:1.35V
  數(shù)據(jù)速率:最高可達(dá)2500Mbps
  封裝形式:FBGA
  引腳數(shù):96-ball
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  封裝尺寸:10mm x 10mm
  刷新模式:自刷新和自動刷新

特性

IS43DR16640B-25DBLI采用了DDR3L技術(shù),支持在1.35V低電壓下運(yùn)行,同時保持與標(biāo)準(zhǔn)DDR3相同的性能表現(xiàn)。其主要特性包括:
  1. 支持2500Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,滿足高性能應(yīng)用需求。
  2. 內(nèi)置ECC功能,可以檢測并糾正單比特錯誤,提升數(shù)據(jù)可靠性。
  3. 提供多種省電模式,例如深度掉電模式(Deep Power Down),進(jìn)一步降低待機(jī)功耗。
  4. 支持突發(fā)長度為4或8,提供靈活的數(shù)據(jù)訪問方式。
  5. 兼容JEDEC DDR3L標(biāo)準(zhǔn),便于設(shè)計和集成。
  6. 工作溫度范圍廣,適用于工業(yè)級和商業(yè)級環(huán)境。

應(yīng)用

IS43DR16640B-25DBLI適用于對內(nèi)存容量和性能要求較高的場景,典型應(yīng)用包括:
  1. 嵌入式處理器平臺中的外部存儲擴(kuò)展。
  2. 高清視頻處理和圖像渲染設(shè)備。
  3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備,如路由器、交換機(jī)和網(wǎng)關(guān)。
  4. 消費(fèi)機(jī)和智能音響。
  5. 工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中的數(shù)據(jù)緩沖和處理。
  6. 物聯(lián)網(wǎng)(IoT)網(wǎng)關(guān)和邊緣計算設(shè)備。

替代型號

IS43TR16640B-25TLI
  IS43TR16640B-25DMLI
  IS43DR16640B-25TLI

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is43dr16640b-25dbli參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量152現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥74.97000托盤
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • 產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設(shè)計
  • 存儲器類型易失
  • 存儲器格式DRAM
  • 技術(shù)SDRAM - DDR2
  • 存儲容量1Gb
  • 存儲器組織64M x 16
  • 存儲器接口并聯(lián)
  • 時鐘頻率400 MHz
  • 寫周期時間 - 字,頁15ns
  • 訪問時間400 ps
  • 電壓 - 供電1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼84-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封裝84-TWBGA(8x12.5)