時間：2025/5/20 20:42:05
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IS42S16160B-7TLI 是一款由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生產(chǎn)的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SSRAM）。該芯片采用 DDR3 接口協(xié)議，具備高速數(shù)據(jù)傳輸能力，適合用于需要大容量、高性能存儲的應(yīng)用場景。其主要特點是低功耗設(shè)計和高密度存儲能力，廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、工業(yè)控制、消費電子以及嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域。
該芯片支持 16Mb 的存儲容量，并以 16 位數(shù)據(jù)寬度進(jìn)行組織，從而提供 1M x 16 的存儲陣列結(jié)構(gòu)。
類型：SSRAM
接口：DDR3
容量：16Mb (1M x 16)
工作電壓：1.35V ± 0.05V
數(shù)據(jù)速率：800Mbps
封裝形式：TQFP-72
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
引腳數(shù)：72
訪問時間：7.5ns
IS42S16160B-7TLI 提供了多種增強(qiáng)性能的功能特性。首先，它支持突發(fā)長度為 4 或 8 的可編程模式，允許用戶根據(jù)具體需求優(yōu)化讀寫操作的效率。
其次，這款芯片內(nèi)置了自動刷新和自刷新功能，能夠減少外部控制器的干預(yù)，從而簡化系統(tǒng)設(shè)計并降低功耗。
此外，它還具有掉電保護(hù)機(jī)制，當(dāng)檢測到電源電壓低于安全閾值時，芯片會進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，避免數(shù)據(jù)損壞。
在節(jié)能方面，IS42S16160B-7TLI 支持深度掉電模式，在待機(jī)狀態(tài)下進(jìn)一步降低功耗，這對于便攜式設(shè)備尤為重要。
最后，該芯片兼容 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，確保與主流控制器和系統(tǒng)架構(gòu)的良好對接。
IS42S16160B-7TLI 主要應(yīng)用于對速度和可靠性要求較高的領(lǐng)域，包括但不限于以下幾種：
1. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備：如路由器、交換機(jī)等，用作臨時數(shù)據(jù)緩存或快速訪問內(nèi)存。
2. 工業(yè)控制系統(tǒng)：用于實時數(shù)據(jù)采集和處理任務(wù)中的高速數(shù)據(jù)緩沖。
3. 消費類電子產(chǎn)品：例如高清電視、數(shù)碼相機(jī)和游戲機(jī)中作為幀緩沖或圖像處理輔助存儲。
4. 嵌入式計算平臺：適用于需要高效內(nèi)存管理的小型計算機(jī)或單板機(jī)系統(tǒng)。
5. 醫(yī)療儀器：用于生命體征監(jiān)測儀、超聲波成像設(shè)備等需要穩(wěn)定且快速的數(shù)據(jù)傳輸場景。
IS42S16320B-7TLI
IS42S16160B-6TLI
IS42S16400B-7TLI
