IS25WP080D-JNLE-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高性能串行 NAND 閃存芯片,采� 8 引腳 WSON 封裝。該器件提供 1Gb�128MB)的存儲(chǔ)容量,并支持高� SPI 接口�(xié)�。其主要特點(diǎn)包括低功耗、高可靠性以及快速數(shù)�(jù)傳輸能力,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和物�(lián)�(wǎng)等領(lǐng)域的嵌入式系�(tǒng)�
存儲(chǔ)容量�1Gb (128MB)
接口類型:SPI
工作電壓�2.7V � 3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式�8 引腳 WSON
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:10 �
擦寫壽命�100K �
IS25WP080D-JNLE-TR 提供高效的存�(chǔ)解決方案,具備以下特性:
1. 支持�(biāo)�(zhǔn) SPI � Dual I/O �(xié)�,實(shí)�(xiàn)更高的數(shù)�(jù)吞吐��
2. �(nèi)� ECC(錯(cuò)誤校正碼)引�,確保數(shù)�(jù)的完整性和可靠��
3. 具有靈活的塊管理和壞塊處理機(jī)�,優(yōu)化存�(chǔ)性能�
4. 提供多種保護(hù)功能,如軟件寫保�(hù)和硬件寫保護(hù),增�(qiáng)�(shù)�(jù)安全��
5. 超低功耗設(shè)�(jì),待�(jī)電流小于 1μA,適合電池供電設(shè)備�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
7. 支持頁編程和連續(xù)讀取操�,簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)和提升效��
IS25WP080D-JNLE-TR 主要�(yīng)用于需要大容量、低功耗和高可靠性的存儲(chǔ)�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如數(shù)碼相�(jī)、機(jī)頂盒和智能音��
2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的固件存�(chǔ)和數(shù)�(jù)記錄�
3. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備的�(shù)�(jù)日志和配置文件保��
4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的引�(dǎo)代碼和臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
5. �(yī)療設(shè)備中�(duì)�(guān)鍵數(shù)�(jù)的長(zhǎng)期保��
IS25WP080D-GMLE-TR, IS25WP080D-JNLI-TR