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IS25WP080D-JNLE-TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 15:51:18 查看 閱讀�40

IS25WP080D-JNLE-TR 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高性能串行 NAND 閃存芯片,采� 8 引腳 WSON 封裝。該器件提供 1Gb�128MB)的存儲(chǔ)容量,并支持高� SPI 接口�(xié)�。其主要特點(diǎn)包括低功耗、高可靠性以及快速數(shù)�(jù)傳輸能力,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和物�(lián)�(wǎng)等領(lǐng)域的嵌入式系�(tǒng)�

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�1Gb (128MB)
  接口類型:SPI
  工作電壓�2.7V � 3.6V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式�8 引腳 WSON
  �(shù)�(jù)保持�(shí)間:10 �
  擦寫壽命�100K �

特�

IS25WP080D-JNLE-TR 提供高效的存�(chǔ)解決方案,具備以下特性:
  1. 支持�(biāo)�(zhǔn) SPI � Dual I/O �(xié)�,實(shí)�(xiàn)更高的數(shù)�(jù)吞吐��
  2. �(nèi)� ECC(錯(cuò)誤校正碼)引�,確保數(shù)�(jù)的完整性和可靠��
  3. 具有靈活的塊管理和壞塊處理機(jī)�,優(yōu)化存�(chǔ)性能�
  4. 提供多種保護(hù)功能,如軟件寫保�(hù)和硬件寫保護(hù),增�(qiáng)�(shù)�(jù)安全��
  5. 超低功耗設(shè)�(jì),待�(jī)電流小于 1μA,適合電池供電設(shè)備�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  7. 支持頁編程和連續(xù)讀取操�,簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)和提升效��

�(yīng)�

IS25WP080D-JNLE-TR 主要�(yīng)用于需要大容量、低功耗和高可靠性的存儲(chǔ)�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如數(shù)碼相�(jī)、機(jī)頂盒和智能音��
  2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的固件存�(chǔ)和數(shù)�(jù)記錄�
  3. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備的�(shù)�(jù)日志和配置文件保��
  4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的引�(dǎo)代碼和臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
  5. �(yī)療設(shè)備中�(duì)�(guān)鍵數(shù)�(jù)的長(zhǎng)期保��

替代型號(hào)

IS25WP080D-GMLE-TR, IS25WP080D-JNLI-TR

is25wp080d-jnle-tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

is25wp080d-jnle-tr�(chǎn)�

is25wp080d-jnle-tr參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �4.63943卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 存儲(chǔ)器類�非易�
  • 存儲(chǔ)器格�閃存
  • 技�(shù)FLASH - NOR
  • 存儲(chǔ)容量8Mb
  • 存儲(chǔ)器組�1M x 8
  • 存儲(chǔ)器接�SPI - � I/O,QPI,DTR
  • �(shí)鐘頻�133 MHz
  • 寫周期時(shí)� - 字,�800μs
  • 訪問�(shí)�-
  • 電壓 - 供電1.65V ~ 1.95V
  • 工作溫度-40°C ~ 105°C(TA�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC