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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/8/23 15:58:59 查看 閱讀�866

針對(duì)邏輯電平�(qū)�(dòng)�(jìn)行了�(yōu)�
  4.5V VGS下的極低RDS(ON�
  4.5V VGS下的卓越R*Q
  改�(jìn)的門(mén)、雪崩和�(dòng)�(tài)dV/dt�(jiān)固�
  全特征電容和雪崩SOA
  增強(qiáng)體二極管dV/dt和dI/dt能力2
  �(wú)�

�(yīng)用說(shuō)�

直流電機(jī)�(qū)�(dòng)
  �(kāi)�(guān)電源中的高效同步整流
  不間斷電�
  高速電源切�
  硬開(kāi)�(guān)和高頻電�

技�(shù)參數(shù)

額定功率�143 W
  通道�(shù)�
  針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.0054Ω
  極性:N-Channel
  耗散功率�143 W
  閾值電壓:2.5 V
  輸入電容�779 pF
  漏源極電�(Vds)�60 V
  漏源擊穿電壓�60 V
  連續(xù)漏極電流(Ids)�99A
  上升�(shí)間:216 ns
  輸入電容(Ciss)�3779pF 50V(Vds)
  額定功率(Max)�143 W
  下降�(shí)間:69 ns
  工作溫度(Max)�175�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�143W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Surface Mount
  引腳�(shù)�
  封裝:TO-252-3

外形尺寸

�(zhǎng)度:6.73 mm
  寬度�6.22 mm
  高度�2.39 mm
  封裝:TO-252-3

符合�(biāo)�(zhǔn)

RoHS�(biāo)�(zhǔn):RoHS Compliant
  含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tape&Reel(TR)
  制造應(yīng)用:Battery Operated Drive

irlr3636trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irlr3636trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs49nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3779pF @ 50V
  • 功率 - 最�143W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn)+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)IRLR3636TRPBFTR