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IRLR3410TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/3/7 15:58:06 查看 閱讀�407

IRLR3410TRPBF是一款由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體�。它采用了鋁薄膜技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于高效率DC-DC�(zhuǎn)換器以及直流電源和電池管理應(yīng)��
IRLR3410TRPBF的導(dǎo)通電阻很�,通常�5.6mΩ,這意味著它能夠在低電壓下提供較大的電�。此�,它還具有低閾值電壓,通常�1.8V,因此可以在低電壓驅(qū)�(dòng)電路中使用�
該器件還具有高開�(guān)速度,其開關(guān)�(shí)間通常�16ns,這使得它能夠在高頻率�(yīng)用中工作。此�,IRLR3410TRPBF還具有良好的溫度�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
IRLR3410TRPBF采用了表面貼裝封裝(DPAK�,便于焊接和安裝。它的尺寸為6.6mm x 9.65mm x 4.6mm,重量為0.5��

參數(shù)指標(biāo)

�(dǎo)通電阻:5.6mΩ
  閾值電壓:1.8V
  開關(guān)�(shí)間:16ns
  封裝類型:DPAK
  尺寸�6.6mm x 9.65mm x 4.6mm
  重量�0.5�

組成�(jié)�(gòu)

IRLR3410TRPBF由多�(gè)層次的材料組�,包括N溝道、P溝道、P型襯底和MOS�(jié)�(gòu)。其�,N溝道和P溝道用于控制電流的流�(dòng),P型襯底用于與控制電壓相�,MOS�(jié)�(gòu)用于控制電流的開�(guān)�

工作原理

IRLR3410TRPBF的工作原理基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理。當(dāng)控制電壓施加在門極上�(shí),形成了一�(gè)電場(chǎng),使得N溝道中的載流子發(fā)生偏�(zhuǎn)。當(dāng)控制電壓足夠高時(shí),N溝道中的電流可以流經(jīng)晶體�,并將其�(dǎo)通。當(dāng)控制電壓降低或消失時(shí),N溝道中的電流被截?cái)啵w管變?yōu)�?dǎo)通狀�(tài)�

技�(shù)要點(diǎn)

IRLR3410TRPBF采用了鋁薄膜技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于高效率DC-DC�(zhuǎn)換器以及直流電源和電池管理應(yīng)�。它還具有良好的溫度�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)行�

�(shè)�(jì)流程

1、確定所需的電流和電壓范圍�
  2、根�(jù)電流和電壓要�,選擇合適的功率晶體管�
  3、確定電路的工作頻率和開�(guān)速度�
  4、根�(jù)電路要求,選擇合適的�(qū)�(dòng)電路和保�(hù)電路�
  5、�(jìn)行電路設(shè)�(jì)和布局,包括連接電路、PCB�(shè)�(jì)��
  6、�(jìn)行電路仿真和�(cè)�,驗(yàn)證設(shè)�(jì)的正確性和性能�
  7、根�(jù)�(cè)試結(jié)果�(jìn)行調(diào)整和改�(jìn),確保電路穩(wěn)定可��

注意事項(xiàng)

1、嚴(yán)格按照數(shù)�(jù)手冊(cè)中的參數(shù)和指�(biāo)�(jìn)行使�,以確保電路的正常工作�
  2、注意功率晶體管的散熱問�,避免過熱導(dǎo)�?lián)p��
  3、注意輸入和輸出電壓的范圍,以避免超過功率晶體管的額定��
  4、遵循相�(guān)的安全操作規(guī)程,確保使用過程中的安全��

�(fā)展歷�

IRLR3410TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體�。下面是它的�(fā)展歷程:
  Infineon Technologies成立�1999�,是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司。在過去的幾十年�,Infineon一直致力于研發(fā)和生�(chǎn)高性能、高可靠性的功率半導(dǎo)體器��
  �20世紀(jì)80年代,功率MOSFET開始在電源和�(qū)�(dòng)�(lǐng)域得到廣泛應(yīng)�。MOSFET是一種常見的功率開關(guān)器件,可以在低電壓控制下�(shí)�(xiàn)高電流和高電壓的開關(guān)操作�
  隨著電子�(shè)備的不斷�(jìn)�,對(duì)功率MOSFET的要求也越來越高。Infineon Technologies�1990年代初開始研�(fā)和生�(chǎn)N溝道MOSFET,這種器件可以�(shí)�(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更高的開�(guān)速度�
  IRLR3410TRPBF是Infineon Technologies�2012年推出的一款N溝道MOSFET功率晶體�。它采用了先�(jìn)的技�(shù)和材�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和高可靠性的特點(diǎn)。該器件適用于各種應(yīng)�,如電源管理、馬�(dá)控制、照明和汽車電子等領(lǐng)��
  IRLR3410TRPBF的主要特性包括:額定電流�23安培,額定電壓為40伏特,導(dǎo)通電阻僅�5.3毫歐姆。此�,它還具有低開關(guān)損耗、快速開�(guān)速度和良好的溫度�(wěn)定��
  IRLR3410TRPBF的推出使得功率電子設(shè)�(jì)師能�?qū)崿F(xiàn)更高�、更可靠的電源和�(qū)�(dòng)系統(tǒng)。它的先�(jìn)技�(shù)和可靠性使其成為許多應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件�

irlr3410trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irlr3410trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irlr3410trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs34nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
  • 功率 - 最�79W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLR3410PBFTR