類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�14 毫歐 @ 38A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�42A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2.5V @ 100μA
閘電�(Qg) @ Vgs�48nC @ 4.5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �3980pF @ 25V
功率 - 最大:140W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D-Pak
廠商 |
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Infineon / IR |