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IRLR120PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 15:49:03 查看 閱讀�448

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

   

目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�270 毫歐 @ 4.6A, 5V

    漏極至源極電�(Vdss)�100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�7.7A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�2V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�12nC @ 5V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �490pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝:管�

    供應商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
VISHAY

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  • �(chǎn)品型�
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irlr120pbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRLR120PBF, IRLU120PBF
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫歐 @ 4.6A�5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds490pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝管件