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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRLMS6802TR

IRLMS6802TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 14:10:02 查看 閱讀�16

IRLMS6802TR是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用了Trench技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合于高效能的功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為TO-Leadless(TOLL�,有助于提高散熱性能和減少寄生電�,非常適合用于高密度�(shè)�(jì)�(chǎng)合�
  該器件主要應(yīng)用于�(fù)載切�、同步整流、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及消費(fèi)類電子設(shè)備等�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):IRLMS6802TR
  Vds(漏源極電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.5mΩ(典型值,Vgs=10V�(shí)�
  Id(連續(xù)漏極電流):200A
  Vgs(柵源極電壓):±20V
  Qg(總柵極電荷):45nC
  EAS(雪崩能量)�1.6mJ
  fT(特征頻率)�1.9MHz
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

IRLMS6802TR具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提升整體效率。同�(shí),它具備較低的柵極電荷(Qg�,可以實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,從而減少開�(guān)損��
  該器件還具有出色的熱�(wěn)定性和可靠�,在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)。此�,TOLL封裝形式不僅提升了散熱能�,還減少了封裝內(nèi)的寄生電�,�(jìn)一步優(yōu)化了高頻�(yīng)用中的性能表現(xiàn)�
  另外,其高耐受電流能力�200A)使得該器件在大電流�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色,而較高的雪崩能量(EAS)則增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��

�(yīng)�

IRLMS6802TR廣泛�(yīng)用于各類功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  2. 同步整流電路以提升效��
  3. 電動(dòng)工具、家用電器等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的�(fù)載切換控��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的功率管理模塊�
  6. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換組件�

替代型號(hào)

IRLB8748PBF, IRF7780TRPBF

irlms6802tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irlms6802tr資料 更多>

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irlms6802tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 5.1A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1079pF @ 10V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-LSOP�0.063"�1.60mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro6?(TSOP-6�
  • 包裝剪切� (CT)
  • 其它名稱*IRLMS6802TRIRLMS6802IRLMS6802CT