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IRLMS4502TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 13:59:15 查看 閱讀�21

IRLMS4502TR是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TO-263-7封裝形式,適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)�(yīng)�。它具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度以及高電流處理能力等特性,非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效能功率管理的場(chǎng)��
  這款MOSFET的工作電壓范圍寬�,能夠承受較高的漏源極電壓,并且具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�。其邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)使得它可以與大多�(shù)微控制器或數(shù)字電路直接連接,從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:45V
  最大連續(xù)漏極電流�18A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.9mΩ
  總功耗:140W
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

IRLMS4502TR是一款高性能的MOSFET,其主要特點(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可以顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,減少開(kāi)�(guān)損耗�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐受力�
  4. 邏輯電平�(qū)�(dòng)兼容�,方便與多種控制信號(hào)接口連接�
  5. 熱穩(wěn)定性好,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  這些特性使得IRLMS4502TR成為許多電力電子�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IRLMS4502TR廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋臂�(kāi)�(guān)�
  3. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)的�(shè)�(jì)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理與配電控制�
  由于其優(yōu)異的性能和廣泛的適應(yīng)�,IRLMS4502TR在消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及汽車電子等多�(gè)行業(yè)都有重要�(yīng)用�

替代型號(hào)

IRLZ44N, FDP5500, AO3400

irlms4502tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irlms4502tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫歐 @ 5.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs33nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1820pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-LSOP�0.063"�1.60mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro6?(TSOP-6�
  • 包裝帶卷 (TR)