日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/16 14:12:25 查看 閱讀�355

IRLML6402TRPBF是一種低電阻、高電流、表面貼裝型N型MOSFET。它由國(guó)際整流器公司(International Rectifier)生產(chǎn),是IRLML系列中的一�。該器件采用了微型封裝SOT-23,具有緊�、輕便等特點(diǎn),適用于各種�(chǎng)合的電路�(shè)�(jì)�
  IRLML6402TRPBF的導(dǎo)通電阻極低,最小值只�1.2mΩ,能夠承受高�(dá)4.3A的電流。這使得該MOSFET適用于高功率的應(yīng)用場(chǎng)�,例如電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管�、DC-DC變換器等。此�,IRLML6402TRPBF提供了低電壓�(qū)�(dòng),VGS(th)最小值為1V,可以在低電壓下工作,從而節(jié)省了功率和延�(zhǎng)了電池壽命�
  IRLML6402TRPBF還具有良好的反向漏電流特性和溫度�(wěn)定性。其最大漏電流僅為1μA,而且具有低溫漂移系數(shù),能夠在-55℃至150℃的溫度范圍�(nèi)工作�
  總之,IRLML6402TRPBF是一種高性能、高可靠�、緊湊型的N型MOSFET,適用于各種高功率、低電壓�(qū)�(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)�。本文將詳細(xì)介紹IRLML6402TRPBF的參�(shù)、指�(biāo)、組成結(jié)�(gòu)、工作原�、技�(shù)要點(diǎn)、設(shè)�(jì)流程及注意事�(xiàng)�

參數(shù)與指�(biāo)

IRLML6402TRPBF的主要參�(shù)與指�(biāo)如下�
  額定電壓�20V
  最大漏�-源極電壓�1.7V
  最大門�-源極電壓�12V
  額定漏極電流�4.3A
  最大漏極電流:16A
  閾值電壓:1.0V�2.5V
  最大功率:1.25W
  熱阻�62.5°C/W
  封裝類型:SOT-23
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

組成�(jié)�(gòu)

IRLML6402TRPBF的組成結(jié)�(gòu)如下�
  1、漏極(Drain):接受電路中的�(fù)�,是MOSFET輸出的主要引��
  2、源極(Source):提供電路中的電流,是MOSFET輸入的主要引��
  3、門極(Gate):控制MOSFET的導(dǎo)通和截止,是MOSFET的控制引��
  4、柵極氧化物層(Gate Oxide Layer):在MOSFET的柵極和襯底之間形成氧化物層,作為柵極和襯底之間的電介質(zhì)�
  5、襯底(Substrate):接地,也可以是一�(gè)反型材料�

工作原理

MOSFET是一種主極性控制型晶體管,它的工作原理基于電場(chǎng)效應(yīng)。當(dāng)在MOSFET的柵極和源極之間施加正電壓時(shí),會(huì)形成一�(gè)電場(chǎng),使得源極與漏極之間的導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大,從而使電流流過MOSFET。當(dāng)在MOSFET的柵極和源極之間施加�(fù)電壓�(shí),會(huì)使導(dǎo)電區(qū)域變窄,電流無法通過MOSFET�

技�(shù)要點(diǎn)

IRLML6402TRPBF作為一款低電阻、高電流、表面貼裝型N型MOSFET,具有以下幾�(gè)技�(shù)要點(diǎn)�
  1、低電阻:IRLML6402TRPBF的漏�-源極電阻很低,可以使得電流在MOSFET中的損失降到最��
  2、高電流:IRLML6402TRPBF的漏極電流可以達(dá)�16A,可以滿足大部分電路中的高電流要求�
  3、表面貼裝型:IRLML6402TRPBF采用SOT-23封裝,可以實(shí)�(xiàn)表面貼裝,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì),提高了電路的集成度�

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)IRLML6402TRPBF的電路需遵循以下流程�
  1、確定電路需求:根據(jù)電路需求確定所需的電流和電壓范圍�
  2、選擇合適的IRLML6402TRPBF型號(hào):根�(jù)電路需求選擇合適的IRLML6402TRPBF型號(hào),確保其參數(shù)和指�(biāo)符合電路要求�
  3、繪制電路圖:根�(jù)電路需求繪制電路圖,并將IRLML6402TRPBF引入電路��
  4、PCB�(shè)�(jì):根�(jù)電路圖設(shè)�(jì)PCB布局,確定IRLML6402TRPBF的引腳位�,確保PCB的安全性和可靠性�
  5、焊接和�(cè)試:�(jìn)行IRLML6402TRPBF的焊接和�(cè)試,確保其正常工��

注意事項(xiàng)

在設(shè)�(jì)和應(yīng)用IRLML6402TRPBF�(shí),需要注意以下事�(xiàng)�
  1、保�(hù)靜電:在處理、存�(chǔ)和安裝IRLML6402TRPBF�(shí),需要保�(hù)靜電,避免靜電損壞�
  2、調(diào)整電路參�(shù):在使用IRLML6402TRPBF�(shí),需要根�(jù)電路需求調(diào)整其參數(shù),確保其正常工作�
  3、溫度:IRLML6402TRPBF的溫度范圍為-55℃至+150�,需要注意電路在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性�

irlml6402trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irlml6402trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irlml6402trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫歐 @ 3.7A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds633pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro3?/SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLML6402PBFTR