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IRLML6401TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/18 15:08:18 查看 閱讀�352

IRLML6401TRPBF是一款P-溝道MOSFET晶體�,具有低電阻、高電流承載能力和快速開�(guān)速度等優(yōu)�。它適用于各種功率開�(guān)�(yīng)用,如電源管�、電�(jī)控制、LED照明�。IRLML6401TRPBF采用微型封裝SOT-23,體積小、功耗低,適用于小型電路�(shè)�(jì)。IRLML6401TRPBF的產(chǎn)品優(yōu)勢包括體積小、功耗低、低電阻、高電流承載能力、快速開�(guān)速度、低門極電荷和低漏電流�

�(chǎn)品特�

IRLML6401TRPBF采用了微型封裝SOT-23,體積小、功耗低,適用于小型電路�(shè)�(jì)。該晶體管具有以下優(yōu)�(diǎn)�
 ?�?)低�(dǎo)通電阻:IRLML6401TRPBF的導(dǎo)通電阻僅�0.04歐姆,可有效降低功率損耗和溫度升高,提高效率和可靠��
 ?�?)高電流承載能力:IRLML6401TRPBF的最大漏極電流可�(dá)3.7安培,適用于高功率應(yīng)用場��
 ?�?)快速開�(guān)速度:IRLML6401TRPBF的開�(guān)速度�,可�(shí)�(xiàn)快速開�(guān)和PWM控制,適用于高頻�(yīng)��
 ?�?)低門極電荷:IRLML6401TRPBF的門極電荷低,可降低�(qū)�(dòng)電路功耗和EMI干擾�
 ?�?)低漏電流:IRLML6401TRPBF的漏電流很小,在�(guān)閉狀�(tài)下能有效降低功率損耗和熱量�(chǎn)��

�(yīng)用場�

IRLML6401TRPBF適用于各種功率開�(guān)�(yīng)�,如電源管理、電�(jī)控制、LED照明�。具體應(yīng)用場合如下:
 ?�?)電源管理:可用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電源開�(guān)、穩(wěn)壓器等電源管理電路中,實(shí)�(xiàn)高效�、高精度、高可靠的電源管��
  �2)電�(jī)控制:可用于PWM控制的電�(jī)�(qū)�(dòng)器中,如�(fēng)扇控�、電�(dòng)工具、機(jī)器人�,實(shí)�(xiàn)高效�、高速度、高精度的電�(jī)控制�
  �3)LED照明:可用于LED照明電路�,如LED�(qū)�(dòng)�、LED燈帶、LED顯示屏等,實(shí)�(xiàn)高效�、高亮度、高�(wěn)定性的LED照明�

�(chǎn)品優(yōu)�

IRLML6401TRPBF的產(chǎn)品優(yōu)勢如下:
 ?�?)體積小、功耗低:IRLML6401TRPBF采用微型封裝SOT-23,體積小、功耗低,適用于小型電路�(shè)�(jì)�
 ?�?)低電阻、高電流承載能力:IRLML6401TRPBF的導(dǎo)通電阻僅�0.04歐姆,最大漏極電流可�(dá)3.7安,可實(shí)�(xiàn)高效�、高功率的應(yīng)��
  �3)快速開�(guān)速度:IRLML6401TRPBF的開�(guān)速度�,可�(shí)�(xiàn)快速開�(guān)和PWM控制,適用于高頻�(yīng)��
 ?�?)低門極電荷:IRLML6401TRPBF的門極電荷低,可降低�(qū)�(dòng)電路功耗和EMI干擾�
  �5)低漏電流:IRLML6401TRPBF的漏電流很小,在�(guān)閉狀�(tài)下能有效降低功率損耗和熱量�(chǎn)��

注意事項(xiàng)

控制電壓�(yīng)該在�(biāo)�(zhǔn)工作范圍�(nèi),通常�0�10V之間�
  MOSFET的最大電源電壓為20V,超過此電壓可能�(huì)損壞器件�
  MOSFET的最大電流為4.3A,超過此電流可能�(huì)�(dǎo)致器件過熱并損壞�
  在使用MOSFET�(shí),應(yīng)該注意靜電放電(ESD)保�(hù),盡量避免靜電放電對器件造成損害�
  MOSFET的引腳應(yīng)該正確連接,避免引腳之間的短路或接觸不��
  在使用MOSFET�(shí),應(yīng)該避免過度壓力或力的作用,以避免損壞器件�
  MOSFET的工作溫度范圍為-55℃到+150�,請?jiān)诖朔秶鷥?nèi)使用�

irlml6401trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irlml6401trpbf資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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irlml6401trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫歐 @ 4.3A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)950mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds830pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro3?/SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLML6401PBFTR