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IRLML6346 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 10:54:38 查看 閱讀：19

IRLML6346是英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用超薄小外形晶體管封裝（SOT-23），具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池供電設(shè)備的功率管理應(yīng)用。
　　由于其極低的導(dǎo)通電阻和較小的封裝尺寸，IRLML6346非常適合對(duì)空間要求嚴(yán)格的電路設(shè)計(jì)。它在低壓驅(qū)動(dòng)條件下仍然能保持較低的導(dǎo)通損耗，因此廣泛用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：20V
　　最大柵源電壓：±8V
　　連續(xù)漏極電流：1.9A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：55mΩ
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）@Vgs=10V：42mΩ
　　總柵極電荷：3nC
　　輸入電容：175pF
　　封裝形式：SOT-23

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻，可減少傳導(dǎo)損耗，提高效率。
　　2. 高開(kāi)關(guān)速度，適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　3. 小型化封裝，適合空間受限的設(shè)計(jì)。
　　4. 支持低至1.8V的邏輯電平驅(qū)動(dòng)，便于與現(xiàn)代數(shù)字IC兼容。
　　5. 內(nèi)置反向隔離二極管，防止反向電流流動(dòng)。
　　6. 高雪崩擊穿能力，提供更好的系統(tǒng)可靠性。

應(yīng)用

1. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
　　4. 電池保護(hù)電路及低功耗設(shè)備中的開(kāi)關(guān)控制。
　　5. 各種小型化、高效化的功率管理解決方案。

替代型號(hào)

AO3400A, FDMQ8205, IRLML6402

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