INFINEON IRLML0030TRPBF 晶體�, MOSFET, N溝道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VN 通道功率 MOSFET�30V,Infineon
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶體�, MOSFET, N溝道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VN 通道功率 MOSFET�30V,Infineon
Infineon 系列分離� HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道�(shè)�,采用表面安裝和引線封裝� 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱�(shè)�(jì)挑戰(zhàn)問題� 在整�(gè)范圍�(nèi),基�(zhǔn)�(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損�,讓�(shè)�(jì)人員可以提供最佳系�(tǒng)效率�
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET �(shè)備組�,其中包� CoolMOS、OptiMOS � StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)�(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高�(zhì)量和增強(qiáng)型保�(hù)功能的設(shè)�(jì)獲益于符� AEC-Q101 汽車工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� MOSFET�
額定功率�1.3 W
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.022 Ω
極性:N-Channel
耗散功率�1.3 W
閾值電壓:1.7 V
輸入電容�382 pF
漏源極電�(Vds)�30 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�5.3A
上升�(shí)間:4.4 ns
輸入電容(Ciss)�382pF @15V(Vds)
下降�(shí)間:4.4 ns
工作溫度(Max)�150 �
工作溫度(Min)�-55 �
耗散功率(Max)�1.3W (Ta)
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:SOT-23-3
長度�3.04 mm
寬度�1.4 mm
高度�1.02 mm
工作溫度�-55� ~ 150� (TJ)