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IRLIZ44GPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 18:20:03 查看 閱讀�20

IRLIZ44GPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),能夠在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下實(shí)�(xiàn)�(dǎo)�,非常適合于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他功率管理�(yīng)��
  IRLIZ44GPBF具備低導(dǎo)通電阻特性,有助于減少傳�(dǎo)損�,提高效率。其封裝形式為T(mén)O-252 (DPAK),具有良好的散熱性能和較高的電流承載能力�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�26A
  �(dǎo)通電阻:9mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�18nC(典型值)
  輸入電容�1280pF(典型值)
  最大功耗:17W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

IRLIZ44GPBF是一款高性能的功率MOSFET,具有以下顯著特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低導(dǎo)通損�,提升整體效率�
  2. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),兼�3.3V�5V控制信號(hào),便于在�(xiàn)代低電壓系統(tǒng)中使��
  3. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
  5. 封裝形式緊湊,易于集成到各種電路�(shè)�(jì)��
  這些特性使得IRLIZ44GPBF成為眾多功率�(yīng)用的理想選擇,特別適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和高電流處理能力的�(chǎng)��

�(yīng)�

IRLIZ44GPBF廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)管�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控��
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  6. 汽車(chē)電子中的各類(lèi)功率控制模塊�
  由于其低�(dǎo)通電阻和邏輯電平�(qū)�(dòng)的特�(diǎn),這款MOSFET在消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及汽�(chē)電子等領(lǐng)域都得到了廣泛應(yīng)��

替代型號(hào)

IRLZ44N, IRLZ44PBF, FDN340P

irliz44gpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

irliz44gpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irliz44gpbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRLIZ44GPBF
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫歐 @ 18A�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs66nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3300pF @ 25V
  • 功率 - 最�48W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 全封�,隔離接�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱(chēng)*IRLIZ44GPBF