�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列�-
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�105 毫歐 @ 3.4A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�14A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�1V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�47nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �660pF @ 50V
功率 - 最大:33W
安裝�(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 全封裝(直引�(xiàn)�
包裝:管�
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB 整包
其它名稱(chēng)�*IRLIB9343PBF
�(chǎng)� |
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Infineon / IR |