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IRLI620GPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 16:22:28 查看 閱讀�283

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-



目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�800 毫歐 @ 2.4A, 5V

    漏極至源極電�(Vdss)�200V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�4A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�2V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�16nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �360pF @ 25V

    功率 - 最大:30W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 全封裝(直引�,隔離式),ITO-220AB

    包裝:管�

    供應商設備封裝:*

    其它名稱�*IRLI620GPBF


資料

廠商
VISHAY

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irli620gpbf參數

  • 數據列表IRLI620GPBF
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫歐 @ 2.4A�5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds360pF @ 25V
  • 功率 - 最�30W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 全封裝,隔離接片
  • 供應商設備封�TO-220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRLI620GPBF