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IRLB3034PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 16:26:40 查看 閱讀�423

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

   

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�1.7 毫歐 @ 195A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�40V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�195A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�162nC @ 4.5V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �10315pF @ 25V

    功率 - 最大:375W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引�)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB



資料

廠商
Infineon Technologies

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irlb3034pbf參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�HEXFET? Power MOSFETs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C195A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.7 毫歐 @ 195A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs162nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds10315pF @ 25V
  • 功率 - 最�375W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件