IRL640S 是一款N溝道增強型MOSFET,適用于高頻開關(guān)應用。該器件采用SO-8封裝形式,具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,非常適合于功率�(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及電機�(qū)動等應用�
IRL640S 的設(shè)計目標是提供高效的功率傳�,同時降低功耗,其優(yōu)良的熱性能和電氣特性使其成為眾多電力電子應用的理想選擇�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�27A
導通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
柵極閾值電壓:2.1V
總功耗:32W
工作溫度范圍�-55� to 175�
IRL640S 具有非常低的導通電� (Rds(on)),在大電流應用中能夠顯著減少傳導損��
該器件還具備快速開�(guān)能力,能夠在高頻操作下實�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
其柵極電荷較�,有助于減少開關(guān)過程中的能量損��
此外,IRL640S 的SO-8封裝形式提供了良好的散熱性能,并且與標準表面貼裝技�(shù)兼容,簡化了生產(chǎn)制造流��
該器件的高雪崩能量能力進一步增強了其在惡劣�(huán)境下的可靠性�
IRL640S 廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS)
- DC-DC�(zhuǎn)換器
- 電機控制和驅(qū)�
- 電池保護電路
- 負載開關(guān)
- 高頻逆變�
由于其出色的電氣特性和熱性能,該MOSFET非常適合于便攜式�(shè)�、工�(yè)自動化系�(tǒng)及汽車電子等�(lǐng)域�
IRLZ44N
IRFZ44N
STP160N10F5