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IRL640S 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 18:19:37 查看 閱讀�26

IRL640S 是一款N溝道增強型MOSFET,適用于高頻開關(guān)應用。該器件采用SO-8封裝形式,具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,非常適合于功率�(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)以及電機�(qū)動等應用�
  IRL640S 的設(shè)計目標是提供高效的功率傳�,同時降低功耗,其優(yōu)良的熱性能和電氣特性使其成為眾多電力電子應用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�27A
  導通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
  柵極閾值電壓:2.1V
  總功耗:32W
  工作溫度范圍�-55� to 175�

特�

IRL640S 具有非常低的導通電� (Rds(on)),在大電流應用中能夠顯著減少傳導損��
  該器件還具備快速開�(guān)能力,能夠在高頻操作下實�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
  其柵極電荷較�,有助于減少開關(guān)過程中的能量損��
  此外,IRL640S 的SO-8封裝形式提供了良好的散熱性能,并且與標準表面貼裝技�(shù)兼容,簡化了生產(chǎn)制造流��
  該器件的高雪崩能量能力進一步增強了其在惡劣�(huán)境下的可靠性�

應用

IRL640S 廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)電源(SMPS)
  - DC-DC�(zhuǎn)換器
  - 電機控制和驅(qū)�
  - 電池保護電路
  - 負載開關(guān)
  - 高頻逆變�
  由于其出色的電氣特性和熱性能,該MOSFET非常適合于便攜式�(shè)�、工�(yè)自動化系�(tǒng)及汽車電子等�(lǐng)域�

替代型號

IRLZ44N
  IRFZ44N
  STP160N10F5

irl640s推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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irl640s參數(shù)

  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫歐 @ 10A�5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs66nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRL640S