類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�3 毫歐 @ 38A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�260A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�110nC @ 4.5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �5890pF @ 15V
功率 - 最大:330W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�
包裝:帶� (TR)
供應商設備封裝:D2PAK
廠商 |
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Infineon / IR |