�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�26 毫歐 @ 29A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�55A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�2V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�140nC @ 5V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �3700pF @ 25V
功率 - 最大:3.8W
安裝�(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:DμPak,TO-263�2 引線 + 接片�
包裝:帶� (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
其它名稱(chēng):IRL2910STRLPBF-NDIRL2910STRLPBFTR
廠商 |
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Infineon Technologies |