IRGP20B120UD-EP 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,采用N溝道增強型設�。該器件具有高效率和低導通電阻的特點,廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等場景�。其封裝形式為TO-247-3L,能夠承受較高的電壓和電�,非常適合需要高性能功率管理的工�(yè)和消費類應用�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻:0.55Ω
柵極電荷�65nC
輸入電容�2050pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝類型:TO-247-3L
IRGP20B120UD-EP 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:能夠支持高達1200V的漏源電壓,適用于高壓環(huán)��
2. 低導通電阻:在典型條件下,其導通電阻僅�0.55Ω,有助于降低傳導損��
3. 快速開關能力:由于柵極電荷�?�?5nC�,因此可以實�(xiàn)快速的開關速度,從而提高系�(tǒng)效率�
4. �(wěn)定性強:具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能,能夠在惡劣�(huán)境下可靠運行�
5. 封裝堅固:采用TO-247-3L封裝,提供良好的散熱性能和機械強度�
IRGP20B120UD-EP 主要用于以下領域�
1. 開關電源:作為主功率開關元件,應用于AC-DC和DC-DC轉換器中�
2. 工業(yè)控制:用于驅動電機或其他大功率負�,如伺服系統(tǒng)和變頻器�
3. 新能源設備:在太陽能逆變�、風力發(fā)電系�(tǒng)中起到關鍵作��
4. 汽車電子:可用于車載充電器和電動車輛的動力管理系�(tǒng)�
5. 家用電器:例如空�(diào)壓縮�、冰箱壓縮機等高效節(jié)能場��
IRG4PC30KD
IRFP260N
FDP15U120A