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IRFU9N20DPBF 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 15:45:20 查看 閱讀�24

IRFU9N20DPBF是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用DPAK封裝形式。該器件適用于高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用場�,如開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器�。其工作電壓高達(dá)200V,能夠承受較高的漏源極電�,并且具有較低的�(dǎo)通電�,從而有效減少傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  連續(xù)漏極電流�9.2A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  柵極電荷�7nC
  開關(guān)頻率:高�(dá)500kHz
  封裝形式:DPAK (TO-252)

特�

IRFU9N20DPBF具有以下顯著特點�
  1. 高耐壓能力,漏源極電壓�200V,適合多種高壓應(yīng)用場��
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下僅�0.18Ω,可降低�(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)性能,具備較小的柵極電荷(Qg=7nC�,有助于實現(xiàn)高頻開關(guān)操作�
  4. 熱性能�(yōu)�,DPAK封裝�(shè)計有助于高效散熱�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)動與控制
  4. 逆變�
  5. �(fù)載切換和保護(hù)電路
  6. 各類工業(yè)及消�(fèi)電子中的功率管理模塊

替代型號

IRF9N20Z, IXTA26N20P4, STP13NF06

irfu9n20dpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

irfu9n20dpbf資料 更多>

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irfu9n20dpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫歐 @ 5.6A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds560pF @ 25V
  • 功率 - 最�86W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 長引�,IPak,TO-251AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�I-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFU9N20DPBF