IRFU9N20DPBF是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用DPAK封裝形式。該器件適用于高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用場�,如開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器�。其工作電壓高達(dá)200V,能夠承受較高的漏源極電�,并且具有較低的�(dǎo)通電�,從而有效減少傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�9.2A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�7nC
開關(guān)頻率:高�(dá)500kHz
封裝形式:DPAK (TO-252)
IRFU9N20DPBF具有以下顯著特點�
1. 高耐壓能力,漏源極電壓�200V,適合多種高壓應(yīng)用場��
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下僅�0.18Ω,可降低�(dǎo)通損��
3. 快速開�(guān)性能,具備較小的柵極電荷(Qg=7nC�,有助于實現(xiàn)高頻開關(guān)操作�
4. 熱性能�(yōu)�,DPAK封裝�(shè)計有助于高效散熱�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 逆變�
5. �(fù)載切換和保護(hù)電路
6. 各類工業(yè)及消�(fèi)電子中的功率管理模塊
IRF9N20Z, IXTA26N20P4, STP13NF06