IRFU214B 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它屬于Power MOSFET系列,專為高頻開關應用而設�。該器件采用TO-252封裝形式,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適合于各種電源管�、電機驅(qū)動以及電信設備中的功率轉(zhuǎn)換電��
型號:IRFU214B
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vds(漏源極電壓):55V
Rds(on)(導通電�,典型值@Vgs=10V):37mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):8.6A
Ptot(總功耗)�1.4W
封裝:TO-252 (DPAK)
fT(截止頻率)�190MHz
Ciss(輸入電容)�205pF
Coss(輸出電容)�42pF
Vgs(th)(柵源開啟電壓)�2V~4V
IRFU214B 的主要特點是其低導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少傳導損�,提高整體效�。此外,該器件具有較高的開關速度,能夠滿足高頻應用需�。它的封裝形式緊湊,適合空間受限的設計場��
該MOSFET的Vds額定值為55V,適用于中等電壓范圍的應�,例如直�-直流�(zhuǎn)換器、開關電源和負載切換電路。同�,其較低的柵極電荷使得驅(qū)動更加簡單且高效,從而降低了系統(tǒng)的復雜性和成本�
由于其出色的熱性能和電氣性能,IRFU214B在需要高性能和可靠性的應用中表�(xiàn)出色�
IRFU214B 常用于以下應用場景:
1. 開關電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
3. 電池充電�
4. 電機控制和驅(qū)�
5. 負載開關
6. 通信電源
7. 固態(tài)繼電�
其高頻開關特性和低導通電阻使其非常適合需要高效率和快速響應的應用場合�
IRFZ44N, IRLZ44N