IRFR5410 是一款由英飛凌(Infineon)生產的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TO-263封裝,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動等應用領域。其出色的電氣性能使其成為高頻功率轉換的理想選��
IRFR5410的工作電壓范圍較�,能夠承受較高的漏源極電�,同時具備快速開關速度和較低的柵極電荷,有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
型號:IRFR5410
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-263
最大漏源極電壓(Vds)�100V
最大柵源極電壓(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�9.2A
最大脈沖漏極電�(Ip)�38A
導通電�(Rds(on))�27mΩ
柵極電荷(Qg)�17nC
總電�(Ciss)�440pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
IRFR5410的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損��
2. 快速開關速度和低柵極電荷,可顯著減少開關損��
3. 高雪崩擊穿能�,提高了器件在過載條件下的可靠��
4. 緊湊的TO-263封裝形式,適合空間受限的應用�
5. 良好的熱性能,支持長時間�(wěn)定運��
這些特點使得IRFR5410非常適合于需要高效功率轉換和高可靠性的應用場景�
IRFR5410廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
2. DC-DC轉換器的核心元件�
3. 電機驅動電路中的功率級控制�
4. 各類負載開關和保護電��
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
6. 其他需要高頻、高效功率轉換的應用場景�
IRF540N, IRFR5407, STP10NK60Z