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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/6/26 16:13:23 查看 閱讀�288

IRFR5305TRPBF是國(guó)際整流器(International Rectifier)公司生�(chǎn)的一種功率MOSFET。它采用了N溝道增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),能夠在低電壓下提供高效的開(kāi)�(guān)和放大功�。該器件被封裝在TO-252(DPAK)封裝中,適用于表面貼裝技�(shù)�
  IRFR5305TRPBF是一種MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),其工作原理基于溝道的電流控�。當(dāng)施加正向電壓到門(mén)極時(shí),溝道中形成了一�(gè)�(dǎo)電通道,電流可以從源極流向漏極。通過(guò)改變門(mén)源電壓,可以控制溝道的導(dǎo)電程�,從而控制電流的流動(dòng)�

基本�(jié)�(gòu)

IRFR5305TRPBF的基本結(jié)�(gòu)包括源極、漏極和門(mén)�。源極是MOSFET的電流�(jìn)入點(diǎn),漏極是電流流出�(diǎn),而門(mén)極則用于控制溝道的導(dǎo)電狀�(tài)。這三�(gè)部分之間通過(guò)絕緣層(氧化層)隔離,以防止漏電流發(fā)��

參數(shù)

●額定電壓(VDS):55V
  ●額定電流(ID):31A
  ●導(dǎo)通電阻(RDS(on)):0.065Ω
  ●最大功率(PD):130W
  ●門(mén)源電壓(VGS(th)):2V - 4V
  ●最大工作溫度(Tj):175�

特點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:IRFR5305TRPBF具有低導(dǎo)通電�,能夠在�(dǎo)通狀�(tài)下降低功�,并提供高效的電流傳��
  2、高�(kāi)�(guān)速度:該器件具有快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠在高頻率下�(shí)�(xiàn)快速的�(kāi)�(guān)操作�
  3、低閾值電壓:IRFR5305TRPBF具有低的門(mén)源閾值電�,可以在低電壓下�(shí)�(xiàn)可靠的開(kāi)�(guān)和放大操��
  4、熱�(wěn)定性:該器件具有良好的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工作�
  5、表面貼裝封裝:IRFR5305TRPBF封裝在TO-252(DPAK)中,適用于表面貼裝技�(shù),易于安裝和制造�

工作原理

IRFR5305TRPBF是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其工作原理基于溝道的電流控制。當(dāng)施加正向電壓到門(mén)極時(shí),溝道中形成了一�(gè)�(dǎo)電通道,電流可以從源極流向漏極。通過(guò)改變門(mén)源電�,可以控制溝道的�(dǎo)電程�,從而控制電流的流動(dòng)�

�(yīng)�

IRFR5305TRPBF廣泛�(yīng)用于各種功率�(kāi)�(guān)電路�,包括:
  ●電源管理系�(tǒng)
  ●直�-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器
  ●逆變器和變頻�
  ●電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  ●照明系�(tǒng)
  ●電池充電器

如何使用

在使用IRFR5305TRPBF之前,請(qǐng)注意以下幾點(diǎn)�
  1、請(qǐng)確保器件的工作電壓和電流在額定范圍內(nèi)�
  2、使用適�(dāng)?shù)纳嵯到y(tǒng)�(lái)控制器件的溫�,以保證�(wěn)定和可靠的工��
  3、在�(kāi)�(guān)操作�,請(qǐng)使用合適的電壓脈沖來(lái)控制門(mén)極電��
  4、注意器件的極性,正確連接源極、漏極和門(mén)��

安裝要點(diǎn)

在使用IRFR5305TRPBF�(jìn)行開(kāi)�(fā)�(shí),需要注意以下幾�(gè)安裝要點(diǎn)�
  1、安裝位置:將IRFR5305TRPBF安裝在散熱器�,以便有效地散發(fā)熱量。確保散熱器與IRFR5305TRPBF之間有良好的熱界面接��
  2、焊接:正確地焊接IRFR5305TRPBF引腳,避免過(guò)熱和�(guò)度應(yīng)力。使用適�(dāng)?shù)暮附庸ぞ吆图夹g(shù),遵循正確的焊接溫度和時(shí)��
  3、焊�(pán)�(shè)�(jì):確保PCB上的焊盤(pán)大小和形狀與IRFR5305TRPBF引腳匹配,以確保良好的焊接連接�
  4、焊接溫度:根據(jù)IRFR5305TRPBF的規(guī)格書(shū),確定正確的焊接溫度范圍,并避免超過(guò)該范圍。過(guò)高的焊接溫度可能�(huì)損壞器件�

irfr5305trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irfr5305trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irfr5305trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C31A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫歐 @ 16A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最�110W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR5305PBFTR