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IRFR4105 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 10:05:31 查看 閱讀�32

IRFR4105是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)。這種器件通常用于高頻開關(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電路中,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電源管理模塊等。IRFR4105以其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度著稱,非常適合需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,在保證高性能的同�(shí)降低了功�,使得它在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用非常廣��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�23A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.8mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�16nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=17ns,toff=11ns
  �(jié)溫范圍:-55°C�175°C
  封裝形式:TO-220FP

特�

IRFR4105的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻工�,適用于開關(guān)電源和高頻逆變器�
  3. 高電流承載能�,使其能夠勝任大功率�(yīng)用場(chǎng)景�
  4. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作�
  5. �(nèi)部設(shè)�(jì)�(yōu)化了柵極�(qū)�(dòng)要求,簡(jiǎn)化了外圍電路�(shè)�(jì)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(zhǎng)期使��
  這些特點(diǎn)使IRFR4105成為眾多功率電子�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

IRFR4105被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制�
  3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)切換�
  6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)功能�
  由于其出色的性能表現(xiàn),IRFR4105成為了許多工程師在設(shè)�(jì)高效功率�(zhuǎn)換電路時(shí)的首選元��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP90NE06L
  FDP17N10

irfr4105推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irfr4105參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝75
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C27A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 16A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最�68W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFR4105