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IRFR3704ZTRPBF 發(fā)布時間 時間:2025/5/26 22:14:10 查看 閱讀:10

IRFR3704ZTRPBF是英飛凌(Infineon)公司生產(chǎn)的MOSFET功率晶體管,采用N溝道增強型技術(shù)。該器件具有極低的導通電阻和出色的開關(guān)性能,適合應(yīng)用于高效率的電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動以及各種需要快速開關(guān)的應(yīng)用場景。此外,IRFR3704ZTRPBF使用PowerTrench工藝制造,從而優(yōu)化了其動態(tài)性能和熱特性。
  這款器件廣泛適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負載開關(guān)、逆變器以及其他高頻功率應(yīng)用。

參數(shù)

型號:IRFR3704ZTRPBF
  類型:N溝道增強型MOSFET
  封裝:PQFN33 (5x6)
  最大漏源電壓Vds:20V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  連續(xù)漏極電流Id:180A(@Tc=25°C)
  導通電阻Rds(on):1.2mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  柵極電荷Qg:39nC(典型值)
  輸入電容Ciss:1930pF(典型值)
  輸出電容Coss:125pF(典型值)
  工作溫度范圍:-55°C至175°C

特性

IRFR3704ZTRPBF具備以下顯著特點:
  1. 極低的導通電阻Rds(on),有助于減少傳導損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)性能,使得該器件非常適合高頻應(yīng)用。
  3. 高額定電流能力,支持大功率應(yīng)用。
  4. PQFN33小型封裝,節(jié)省PCB空間,同時提供良好的散熱性能。
  5. 高溫工作能力,確保在惡劣環(huán)境下的可靠運行。
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保設(shè)計。

應(yīng)用

IRFR3704ZTRPBF主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流元件。
  2. 電機驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
  3. 各類負載開關(guān),用于控制不同負載的通斷。
  4. UPS不間斷電源系統(tǒng)的功率輸出級。
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開關(guān)。
  6. 太陽能逆變器和其他高頻功率變換設(shè)備中的關(guān)鍵組件。

替代型號

IRFR3704S, IRF3704

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irfr3704ztrpbf參數(shù)

  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.4 毫歐 @ 15A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.55V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 10V
  • 功率 - 最大48W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR3704ZTRPBF-NDIRFR3704ZTRPBFTR