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IRFR3607TRPBF 發(fā)布時間 時間�2022/10/11 11:00:03 查看 閱讀�752

    HEXFET N 通道功率 MOSFET 超過 55A,Infineon ### MOSFET 晶體�,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道� P 通道設備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求� 應用范圍從交�-直流和直�-直流電源到音頻和消費電子產品,從電動機控制到照明和家用電器�

    N 通道功率 MOSFET 60V � 80V,Infineon

    Infineon 系列分離� HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝� 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題� 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損�,讓設計人員可以提供最佳系�(tǒng)效率�


目錄

概述

    HEXFET N 通道功率 MOSFET 超過 55A,Infineon ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道� P 通道設備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需�� 應用范圍從交�-直流和直�-直流電源到音頻和消費電子產品,從電動機控制到照明和家用電��

    N 通道功率 MOSFET 60V � 80V,Infineon

    Infineon 系列分離� HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝� 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題� 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損�,讓設計人員可以提供最佳系�(tǒng)效率�



參數

    額定功率�140 W

    針腳數:3

    漏源極電阻:0.00734 Ω

    極性:N-Channel

    耗散功率�140 W

    閾值電壓:2 V

    輸入電容�3070 pF

    漏源極電�(Vds)�75 V

    連續(xù)漏極電流(Ids)�80A

    上升時間�110 ns

    輸入電容(Ciss)�3070pF @50V(Vds)

    額定功率(Max)�140 W

    下降時間�96 ns

    工作溫度(Max)�175 �

    工作溫度(Min)�-55 �

    耗散功率(Max)�140W (Tc)

    安裝方式:Surface Mount

    引腳數:3

    封裝:TO-252-3

    長度�6.73 mm

    寬度�7.49 mm

    高度�2.39 mm

    封裝:TO-252-3

    材質:Silicon

    工作溫度�-55� ~ 175� (TJ)


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irfr3607trpbf參數

  • 標準包裝6,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C56A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 46A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs84nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3070pF @ 50V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR3607TRPBFTR