HEXFET N 通道功率 MOSFET 超過 55A,Infineon ### MOSFET 晶體�,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道� P 通道設備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需求� 應用范圍從交�-直流和直�-直流電源到音頻和消費電子產品,從電動機控制到照明和家用電器�
N 通道功率 MOSFET 60V � 80V,Infineon
Infineon 系列分離� HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝� 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題� 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損�,讓設計人員可以提供最佳系�(tǒng)效率�
HEXFET N 通道功率 MOSFET 超過 55A,Infineon ### MOSFET 晶體管,Infineon (IR) Infineon 全面的堅固單和雙 N 通道� P 通道設備組合提供快速切換速度,且可滿足各種電源需�� 應用范圍從交�-直流和直�-直流電源到音頻和消費電子產品,從電動機控制到照明和家用電��
N 通道功率 MOSFET 60V � 80V,Infineon
Infineon 系列分離� HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道設備,采用表面安裝和引線封裝� 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰(zhàn)問題� 在整個范圍內,基準導通電阻減少了傳導損�,讓設計人員可以提供最佳系�(tǒng)效率�
額定功率�140 W
針腳數:3
漏源極電阻:0.00734 Ω
極性:N-Channel
耗散功率�140 W
閾值電壓:2 V
輸入電容�3070 pF
漏源極電�(Vds)�75 V
連續(xù)漏極電流(Ids)�80A
上升時間�110 ns
輸入電容(Ciss)�3070pF @50V(Vds)
額定功率(Max)�140 W
下降時間�96 ns
工作溫度(Max)�175 �
工作溫度(Min)�-55 �
耗散功率(Max)�140W (Tc)
安裝方式:Surface Mount
引腳數:3
封裝:TO-252-3
長度�6.73 mm
寬度�7.49 mm
高度�2.39 mm
封裝:TO-252-3
材質:Silicon
工作溫度�-55� ~ 175� (TJ)