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IRFR24N15DPBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/7 14:48:28 查看 閱讀�652

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?


目錄

概述

    類別:分離式半導體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:標準型

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�95 毫歐 @ 14A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�150V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�24A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�5V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�45nC @ 10V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �890pF @ 25V

    功率 - 最大:140W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝:管�

    供應商設備封裝:D-Pak

    其它名稱�*IRFR24N15DPBF


資料

廠商
Infineon Technologies

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • 型號
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irfr24n15dpbf參數(shù)

  • 標準包裝75
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C24A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C95 毫歐 @ 14A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds890pF @ 25V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRFR24N15DPBF