IRFR210TRPBF 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-263封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)電子�(shè)備中�
這款MOSFET的額定電壓為200V,適用于高壓�(huán)境下的開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(kāi)�(guān)性能和導(dǎo)通效�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和耐用�,使其成為許多高效能功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�3.9A
柵極-源極電壓(最大):�20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.8Ω
總功耗:75W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
IRFR210TRPBF 提供了多種優(yōu)越的性能特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力�200V 的漏源電壓使其能夠承受較高的電壓波動(dòng),適用于各種�(fù)雜的工作�(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:0.8Ω 的典型導(dǎo)通電阻可以顯著降低功率損�,提高整體效��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:得益于�(yōu)化的�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu),該MOSFET在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,減少了�(kāi)�(guān)損��
4. 良好的熱�(wěn)定性:即使在高溫環(huán)境下,也能保持穩(wěn)定的性能輸出�
5. 小巧封裝:TO-263封裝不僅節(jié)省空間,還便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
6. 可靠性高:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試與�(yàn)證流程,確保其在惡劣條件下仍能正常運(yùn)��
IRFR210TRPBF 的主要應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):由于其高效的�(kāi)�(guān)特性和耐壓能力,特別適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC適配器等電源管理系統(tǒng)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):可用于�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)或其他�(lèi)型電�(jī)的驅(qū)�(dòng)控制電路�,提供精確的電流�(diào)節(jié)和保�(hù)功能�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:例如可編程邏輯控制器(PLC)、變頻器和伺服系�(tǒng)中的功率�(kāi)�(guān)元件�
4. 照明系統(tǒng):如LED�(qū)�(dòng)器或熒光燈電子鎮(zhèn)流器中的功率�(jí)組件�
5. 汽車(chē)電子:滿(mǎn)足汽�(chē)�(huán)境中�(duì)可靠性和效率的嚴(yán)格要�,適用于�(chē)載充電器或電池管理系�(tǒng)(BMS��
IRFZ24N, IRF540N, STP36NF06